索特Solamet®通过长期研发与技术积累,给出了N型电池p+表面银铝浆金属化的产品设计指导原则和工艺改善方向,包括新一代Solamet® PV3N3银铝浆产品、先进发射极设计,以及基于p-PolySi工艺的TBC电池等方向。 N型电池p+表面金属化新思路 无铝银浆设计的可行性探讨 基于对N型电池p+表面银铝浆金属化的优劣势分析,...
在背面会先制作一层不足 2nm 的超薄二氧 化硅(SiO2)作为隧穿层,再在上面制作一层 20nm 左右掺磷的多晶硅薄膜(polySi(n+)),浓度较衬底更高,成为新一代高效光伏电池: 1)由超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组合而成的结构(SiO2/ poly-Si(n+))正是 TOPCon 电池的核心,可以实现对载流子的选择性收集...
德国 Fraunhofer 研究所在 2013 年提出了隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池，这种电池利用 N 硅片作为衬底，在背面会先制作一层不足 2nm 的超薄二氧化硅（SiO2）作为隧穿层，再在上面制作一层 20nm 左右掺磷的多晶硅薄膜（polySi(n+)），浓度较衬底更高。这种技术的优点有：1）可以实现对载流子的选择性收集，起...
薄膜poly-Si太阳电池载流子收集长度有效扩散长度通过应用Scharfetter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n+(μc-Si:H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟.说明类p-i-n结构设计使电池获得了较高的短路电流JSC,而中间层p(poly-Si)的掺杂有利于提高电池的短波量子效率...
TOPCon与Perc结构上的不同点在于隧穿氧化层、Poly层。氧化层为厚度1～2nm的SiOx。通常SiOx作为绝缘层出现在半导体 器件中,但由于SiOx介电层非常薄,不会阻碍多子的传输但会阻碍少子达到界面。多子通过隧穿原理实现输运,少子则由 于重掺杂Poly-Si和Si之间的势垒难以通过该氧化层,因此可以显著降低界面复合。隧穿氧化层...
通过应用 Scharfeter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n+(μc-Si:H)/p(poly-Si)/p+ (poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟.说明类p-i-n结构设计使电池获得了较高的短路电流JSC,而中间层p(poly-Si)的掺杂有 利于提高电池的短波量子效率特性,还讨论了n+(μc-Si:H)和p+(poly-Si)等层厚...
目前来看制作SiO2/poly-Si(n+)结构存在多种工艺路线,制作方式与所用设备高度相关。但即便是使用同一种核心设备,也会存在不同的方法和流程,尚未有任何一种能完全兼顾电池效率、生产成本、稳定性等各个方面而形成绝对优势,这就对业内企业的研发和产能投入时带来了选择难题,也一定意义上分散了产业研发资源。具体而言,...
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p-Si 英文全称Polycrystalline 中文解释多晶硅 缩写分类化学化工,电子电工 METI(日本)经济产业省 ICS互联网连接共享 ICAR印度农业研究理事会 IEDB工业工程数据 BS童子军 ICANN互联网名称与数字地址分配机构 MDMA二亚甲基双氧安非他明 I-BOOP特发性阻塞性细支气管炎伴机化性肺炎...
低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究 姓名,*** 申请学位级别,硕士 专业,凝聚态物理 指导教师,**文 20070620大连理,,大学硕十学位论文 摘要 多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本,在能源信息工业中,同益成为一种重要的电子材料,并被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。为降低多晶硅薄膜的生...