制备方法为:首先对硅片进行标准rca清洗,接着采用氧化法在硅片两面均制备厚度2nm氧化硅隧穿层,再用pecvd在硅片两面沉积p型掺硼非晶硅(poly-si层总厚度为40nm),热蒸发镀膜机中在硅片两面沉积不同厚度的薄层al,最后转到pecvd中在硅片两面沉积p型掺硼非晶硅,双管扩散炉内800℃高温退火。形成以下结构(样品编号2～5),...
索特Solamet®通过长期研发与技术积累,给出了N型电池p+表面银铝浆金属化的产品设计指导原则和工艺改善方向,包括新一代Solamet® PV3N3银铝浆产品、先进发射极设计,以及基于p-PolySi工艺的TBC电池等方向。 N型电池p+表面金属化新思路 无铝银浆设计的可行性探讨 基于对N型电池p+表面银铝浆金属化的优劣势分析,...
晶体硅(c‐Si)太阳能电池,最著名的例子是氢化非晶硅(a‐Si:H)和c‐Si的异质结,这使得非常高的开路电压,VOC,高达750 mV。其它基于Si薄膜‐的钝化接点,如隧道氧化物钝化触点(TOPCon),或poly‐Si采用高质量超薄的中间SiOx层哪一种表面覆盖着大量掺杂的纳米晶或多晶硅层。这些方法中的大多数已经得到了证明使转换...
A new buried channel PMOSFET structure by forming P+ poly-Si sidewall spacers next to the main N+ poly-Si gate electrode is proposed and developed for deep submicron applications. By using this new device structure, the current drivability of a 0.3μm PMOSFET is increased by about 40%. ...
TOPCon与Perc结构上的不同点在于隧穿氧化层、Poly层。氧化层为厚度1～2nm的SiOx。通常SiOx作为绝缘层出现在半导体 器件中,但由于SiOx介电层非常薄,不会阻碍多子的传输但会阻碍少子达到界面。多子通过隧穿原理实现输运,少子则由 于重掺杂Poly-Si和Si之间的势垒难以通过该氧化层,因此可以显著降低界面复合。隧穿氧化层...
通过应用Scharfetter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n^-(μc-Si:H)/p(poly-Si)p^+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。 林鸿生 - 《太阳能学报》 被引量: 1发表: 1998年 类p-I-n结构n+(μc-Si:H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池的热平衡态特性数值分析 通过应用 Scharf...
p-si：p型源极 poly-si gate：多晶硅栅极 SiC seal layer：碳化硅密封层 SiN seal layer：氮化硅密封...
In this paper, we report a novel Si-B diffusion source for p(+)-polySi gate p-metal oxide-semiconductor field effect transistors (pMOSFETs). It is found that boron penetration can br effectively suppressed using this process. All the electrical properties of the MOS capacitors are significantly...
P‐39: Development of 5″ Poly‐Si Transflective Panel by 7‐Mask Process, Operated with P‐MOS Circuit P‐39: Development of 5″ Poly‐Si Transflective Panel by 7‐Mask Process, Operated with P‐MOS CircuitIn order to reduce the cost and to have a comparative process with that of a-...
由于a-Si:H薄膜的Raman吸收出现在480c-1附近,而Poly-Si出现在520cm-1附近。因此,准分子激光退火多晶硅薄膜材料的结晶度也可以从Raman光谱中获得重要信息。从图中可以看出,随着激光能量密度的升高,结晶度开始时逐渐增大,以后又随着能量密度的增高,结晶度开始下降。这是由于,与能量密度相对较低的情形相比,能量密度的...