15.Oxide ESL Growth & AmSi Deposition 在晶片的表面上生长一个厚度为30Å的SiON热层氧化物,形成一个薄的刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。当非晶硅栅极支撑柱(尚未沉积)被刻蚀掉时,这层氧化物将作为刻蚀停止层来保护晶体管通道。 请注意,在流程中的这个阶段没有进行Hi-k介电沉积。 采用化学气相沉积(CVD)...
aStudying the evolution of the whole process requires an analysis of the transport of aggressive agents through the cover, determining the kinetics of the complex electrochemical phenomena occurring at the steel–concrete interface and predicting the mechanical effects of the expansive oxide layer on ...
aThe invention provides semiconductor structure having high crystal quality and high strained crystal semiconductor layer on top of insulator. 发明提供半导体结构有高水晶质量和高被劳损的水晶半导体层数在绝缘体顶部。[translate] a'just think of all the things you have to be thankful for is another noise...
15.Oxide ESL Growth & AmSi Deposition 在晶片的表面上生长一个厚度为30Å的SiON热层氧化物,形成一个薄的刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。当非晶硅栅极支撑柱(尚未沉积)被刻蚀掉时,这层氧化物将作为刻蚀停止层来保护晶体管通道。 请注意,在流程中的这个阶段没有进行Hi-k介电沉积。 采用化学气相沉积(CVD)...
aProduction of semiconductor-on-insulator structure involves growing film on upper layer of matching layer, forming embrittlement zone, bonding receiving substrate with donor wafer, and removing part of donor wafer by supplying energy 半导体在绝缘体结构的生产在上层介入增长影片配比的层,形成脆化区域,结合...
在晶片的表面上生长一个厚度为30Å的SiON热层氧化物,形成一个薄的刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。当非晶硅栅极支撑柱(尚未沉积)被刻蚀掉时,这层氧化物将作为刻蚀停止层来保护晶体管通道。 请注意,在流程中的这个阶段没有进行Hi-k介电沉积。 采用化学气相沉积(CVD)技术沉积了厚度为800Å的非晶硅(AmSi)。
在晶片的表面上生长一个厚度为30Å的SiON热层氧化物,形成一个薄的刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。当非晶硅栅极支撑柱(尚未沉积)被刻蚀掉时,这层氧化物将作为刻蚀停止层来保护晶体管通道。 请注意,在流程中的这个阶段没有进行Hi-k介电沉积。 采用化学气相沉积(CVD)技术沉积了厚度为800Å的非晶硅(AmSi)。
在晶片的表面上生长一个厚度为30Å的SiON热层氧化物,形成一个薄的刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。当非晶硅栅极支撑柱(尚未沉积)被刻蚀掉时,这层氧化物将作为刻蚀停止层来保护晶体管通道。 请注意,在流程中的这个阶段没有进行Hi-k介电沉积。 采用化学气相沉积(CVD)技术沉积了厚度为800Å的非晶硅(AmSi)。