百度试题 题目Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide的目的是为何?相关知识点: 试题来源: 解析 ①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。反馈 收藏
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(V_G-V_T)V_D$,$V_D\ll V_G-V_T$ 它说leakage current会导致I_d失控,这个不太明白,温度升高leakage会变大,具体怎么影响的还不清楚提到了V_T, threshold voltage,会随温度变,我觉得最关键的是Figure 2.13,图中还标注了ZTC,zero temperature coefficient,当门电压达到某一个值的时候,I_D不会随温度...