在大电流应用中更换功率 ORing 二极管时，ISL6144 ORing MOSFET 控制器和适当尺寸的 N 沟道功率 MOSFET 可提高配电效率和可用性。在多电源、容错、冗余配电系统中，并联的类似电源通过各种功率共享方案对负载电流的贡献相等。无论采用哪种方案，常见的设计做法是包括分立式 ORing 功率二极管，以防止在其中一个电源产生...
产品种类 热交换电压控制器 电源电压-最大 75 V 工作电源电流 130 uA 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 125 C 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TSOT-6 高度 0.87 mm 长度 2.97 mm 宽度 1.65 mm 可售卖地 全国 型号 LM5050MK-1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价...
安森美半导体推出理想二极体/ORing 控制器NCV68261,它是一款反极性保护和理想二极管NMOS控制器,具有可选的高边开关功能,旨在作为功率整流二极体和机械电源开关的低损耗和低正向电压替代品。该控制器与一个或两个N沟道MOSFET配合使用,并根据使能引脚的状态和输入至漏极差分电压极性设置晶体管的ON/OFF状态。 根据漏极引...
MAX5079EUD+ ORing MOSFET控制器取代了ORing高可靠性冗余并联二极管电源。尽管它们的正向电压降很低,ORing肖特基二极管在高电流下会导致过度的功率耗散。MAX5079EUD+允许使用低导通电阻n沟道功率MOSFET将被取代肖特基二极管。这导致低功耗,体积更小,消除了高功率中的散热器应用。
安森美半導體推出理想二極體/ORing 控制器NCV68261,它是一款反極性保護和理想二極管NMOS控制器,具有可選的高邊開關功能,旨在作為功率整流二極體和機械電源開關的低損耗和低正向電壓替代品。該控制器與一個或兩個N溝道MOSFET配合使用,並根據使能引腳的狀態和輸入至漏極差分電壓極性設置晶體管的ON/OFF狀態。
(华强电子世界网讯)国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器—N沟道功率MOSFET驱动器。 这款有源ORing集成电路采用SO-8封装,配合外置MOSFET一起使用,可取代传统的二极管ORing,既能显著提升效率,又可降低功耗。许多高端系统,诸如运营商级通信设备、电信和数...
产品种类 门驱动器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 激励器数量 1 Driver 输出端数量 1 Output 输出电流 20 A 电源电压-最小 8 V 电源电压-最大 14 V 工作电源电流 4.5 mA Pd-功率耗散 362 mW 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 85 C 系列 MAX8535 输出电压 12 V 工作电源电压 ...
LM5050-1做ORing FET控制器未能正常工作 Other Parts Discussed in Thread:LM5050-1 按数据手册最简单的应用搭了一个电路, 上电之后不管输入加到几伏,测MOSFET的Vgs一直只有3.12V的样子,虽然也能驱动,但和数据手册标的输入12V以上驱动出12V不一样,求解。MOSFET选用的是IPA057N06N3G,60V/60A的低压MOS。
INTERSIL ISL6144IVZA 热交换电压控制器 W/ANNEAL 16LD ORING FET CNTRLR ISL6144IVZA 30615 INTERSIL N/A 20 ￥1.0000元>=1 个 深圳市向安科技有限公司 5年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 TI/德州仪器 FET控制器 LM5050MK-1 高侧ORing 外接N沟道MOSFET的电荷泵门驱动器 适合 激活或关闭冗余...
了解我们的理想二极管控制器如何克服用于传统输入保护或 ORing 应用的肖特基二极管或 P 沟道 MOSFET 的常见局限性。 document-pdfAcrobatPDF 应用手册 汽车行业的新趋势要求前端电源系统具有更高的效率和功率密度。了解新型 LM74800-Q1 B2B FET 理想二极管控制器如何简化常见的设计架构。