所谓OCV就是,On-Chip Variation ,即片上误差,ocv还分AOCV、POCV等。 在IC设计中,所有器件的GDS数据是一样的,但是在IC制造的时候,相同的GDS可能会选用不用的die。不同晶圆的die电气特性可能不一样,相同晶圆的不同位置的die的电气特性可能也不一样。 例如如下的三个位置的die分别位于晶圆的头部、腰部、臀部。
OCV的全称是On Chip Variation,用于描述在一块芯片上不同管子间由于工艺偏差、电压降以及温度变化等引起的delay变化。 可以通过derate 特定单元/走线的延迟来对OCV的影响进行建模。 使用指令如下,对延迟进行derate处理。下面的指令是指定所有的网络延迟和单元延迟,也可以使用tcl脚本单独指定cell delay 或 net delay。
OCV,也就是On chip variation。 与corner同理,同一块芯片上的晶体管也会有变快或者变慢的现象,因此产生了OCV的概念。 在设计中引入OCV的目的在于从设计角度考虑芯片在实际生产中可能出现的各种差异(variation),从而适度增加设计余量(margin),减少不必要的设计...
OCV全称是on chip variation,指的是在同一片wafer上,因为片上工艺的误差,导致不同位置的chip性能不一样。另外对于同一块chip,不同位置上的同一类cell的性能也会有差异。 这些差异所影响最大的就是timing相关的东西,delay、transition什么的都会有所影响。为此我们引入OCV的概念,用来在设计阶段模拟这些片上误差。 举...
OCV指的是on-chip variation。片上误差。 我们接下来一个一个来讲讲这些corner产生的原因和对芯片的影响。 1. FEOL Process Corner 说白了,晶体管的corner。这个东西有人形象的翻译叫做,工艺角。 如上图所示,按照Nmos和Pmos的电流或者vth划分,能造成很多类型来。第一个字母表示N管,第二个字母表示P管速度。
OCV全称是on chip variation,指的是在同一片wafer上,因为片上工艺的误差,导致不同位置的chip性能不一样。另外对于同一块chip,不同位置上的同一类cell的性能也会有差异。这些差异所影响最大的就是timing相关的…
POCV (Parametric On Chip Variation) POCV,又称SOCV(Statistical On Chip Variation),如下图所示,POCV和AOCV一样将delay模拟成一个正态分布。每个cell的delay最高概率出现在期望值u周围,整体落在正负3倍标准差区间内的概率为99.7%。 以上介绍的时序分析方法就是POCV,也叫SOCV,全称为Statistic OCV。这是一种...
片上误差(On-Chip Variation,简称OCV)是集成电路中一种常见的性能变异,其来源于晶片上的结构、制程和环境等因素。这种变异会导致芯片的功能、功耗和性能等方面的不确定性,对电子系统的可靠性、稳定性和一致性产生负面影响。 OCV的产生主要归因于以下几个方面: ...
OCV是on-chip variation. 是指在同一个芯片上, 由于制造工艺等原因造成的偏差. 具体表现在到两个ff的clk端的时钟路径. 本来时间应该是一样的. 但是因为制造工艺也就是OCV的原因, 造成工具无法计算的快慢偏差. timing derate. 这个值就是告诉工具, OCV的影响有多大. 通常signoff的时候. derate会有5%到10%. ...
POCV,又称SOCV(Statistical On Chip Variation),如下图所示,POCV将delay模拟成一个正态分布 。每个cell的delay最高概率出现在 u周围。整体落在区间内的概率为99.7%。 LVF LVF(Liberty Variation Format) 除了read_aocvm去读取专用的POCV文本,还可以将POCV的内容集成到类似于liberty文件中,比如基于Slew-Load Base...