NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。NTS2101PT1G采用SC70-3封装...
型号: NTS2101PT1G MOSFET或IGBT开关IC 封装: SOT-323 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度: 4.8mm 宽度: 7.4mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
型号 NTS2101PT1G 深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿圆是一家具有综合竞争...
·NTS2101PT1G国产替代产品 ·NTS2101PT1G采购批发价格快速导航 概述 推荐供应商 其他型号资料 概述 源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):1.400通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150描述:-8 V, -1.4 A,双功率MOSFET推荐供应商...
NTS2101PT1G 由ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rschip1stopavnet 等渠道进行代购。 NTS2101PT1G 价格参考￥ 0 。 ON NTS2101PT1G 封装/规格: SOT-323, MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323。你可以下载 NTS2101PT1G 中文资料、引脚图、Datashe...
部件名NTS2101PT1G 下载NTS2101PT1G下载 文件大小1897.06 Kbytes 页9 Pages 制造商VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd] 网页www.VBsemi.com 标志 功能描述P-Channel20 V(D-S)MOSFET 类似零件编号 - NTS2101PT1G 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorNTS2101PT1G ...
型号: NTS2101PT1G 封装: SOT-323 批号: 2229 数量: 18750 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-323-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 1.4 A Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms Vgs - 栅极-...
品牌:TECH PUBLIC(台舟电子) 型号: NTS2101PT1G 商品编号: DS39711727 封装规格: SOT-323 商品描述: 商品详情 商品介绍 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实...
系列 NTS2101P 晶体管类型 MOSFET 典型关闭延迟时间 6.2 ns 典型接通延迟时间 1.24 mm 宽度 6 mg 可售卖地 全国 型号 NTS2101PT1G PDF资料 电子管-场效应管-NTS2101PT1G-ON-SOT-323-2022.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能...
型号: NTS2101PT1G-VB 商品编号: DS39662499 封装规格: SC70-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。 P沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98...