NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。NTS2101PT1G采用SC70-3封装...
NTS2101PT1G SOT-323 场效应管MOSFET P通道 8V 1.4A 原品牌 深圳市华芯联电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.11 集成电路SI2302 SOT-23智能电源IGBT达林顿数字晶体管闸原装正品 包装方式NTS2101PT1G 深圳市隆进电子有限公司1年 ...
型号 NTS2101PT1G 深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿圆是一家具有综合竞争...
NTS2101PT1 规格参数 是否无铅: 含铅 生命周期: Obsolete 零件包装代码: SC-70 包装说明: CASE 419-04, SC-70, 3 PIN 针数: 3 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.34 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 8 V 最大漏极电流 (Abs) (ID): 3.7 A ...
型号: NTS2101PT1G MOSFET或IGBT开关IC 封装: SOT-323 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度: 4.8mm 宽度: 7.4mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
部件名NTS2101P 下载NTS2101P下载 文件大小66.73 Kbytes 页5 Pages 制造商ONSEMI [ON Semiconductor] 网页http://www.onsemi.com 标志 功能描述PowerMOSFET??.0V,??.4A,SingleP?묬hannel,SC??0 类似零件编号 - NTS2101P 制造商部件名数据表功能描述 ...
NTS2101P Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70 Features •Leading Trench Technology for Low R DS(on) Extending Battery Life •−1.8 V Rated for Low V oltage Gate Drive •SC−70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)•Pb−Free Package...
NTS2101P中文资料 NTS2101P Power MOSFET 8.0 V, ?1.4 A, Single P?Channel, SC?70 Features Leading Trench Technology for Low R DS(on) Extending Battery Life ??1.8 V Rated for Low V oltage Gate Drive SC?70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) Pb?Free Package is Available App...
NTS2101PT1G 由ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rschip1stopavnet 等渠道进行代购。 NTS2101PT1G 价格参考￥ 0 。 ON NTS2101PT1G 封装/规格: SOT-323, MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323。你可以下载 NTS2101PT1G 中文资料、引脚图、Datashe...
型号: NTS2101PT1G 封装: SOT-323 批号: 2229 数量: 18750 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-323-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 1.4 A Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms Vgs - 栅极-...