N型和P型半导体的主要区别N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率，电荷载流子和能带图。电导率差异半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。这些电子在晶格内相对自由地移动，有助于N型材料的高导电性。在P型半导体中，主要的电荷载流子是掺杂过程产生的空穴。虽然空穴通常被
1.PNP型晶体管 PNP晶体管是另一种类型晶体管。它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要高,而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。
N型半导体作基极，所以集电极收集的载流子便为来自发射极的多子——空穴；而NPN型晶体管是用N型半导体作...