百度试题 结果1 题目分别画出n型和p型半导体的能带结构图,并以Si为例说明n型和p型半导体的形成过程。相关知识点: 试题来源: 解析 答: n型半导体的能带结构 p型半导体的能带结构反馈 收藏
本征半导体的载流子兼有电子和空穴,n型半导体的载流子是电子,p型半导体的载流子是空穴。本征半导体既有导带中的电子定向运动,又有满带中的电子定向运动;n型半导体中杂质电子极易向导带跃迁,供给自由电子,而p型半导体中满带中电子极易跃入杂质能级,使满带中产生空穴。
●n型半导体（负型）： 在n型半导体中，主要载流子是自由电子。当光照射到n型半导体上时，电子被激发到导带，形成自由电子，这也是电流的贡献者。2.掺杂元素：●p型半导体： 通常是通过在半导体晶格中引入三价元素（如硼）来形成p型半导体。●n型半导体： 通过引入五价元素（如磷或砷）来形成n型半导体。3.电势...
2.n型半导体和P型半导体接触后，各自的多子互相往对方区域扩散，平衡的时候，两边的费米能级在一条直线...
P型半导体和N型半导体的掺杂元素不同。P型半导体通常采用三价元素,如硼、铝等,而N型半导体通常采用五价元素,如磷、砷等。 2.4 能带结构 P型半导体和N型半导体的能带结构也有所不同。P型半导体的价带顶部附近存在空穴,而N型半导体的导带底部附近存在自由电子。
解析 1.答:本征半导体导带中的载流子为电子,满带中的载流子为“空穴”;N型半导体的载流子为电子,P型半导体的载流子为“空穴”。它们的能带结构有如下区别:本征半导体导带与满带间有较大的禁带,N型半导体的杂质能级接近于导带下沿,P型半导体杂质能级接近于满带上沿。
P型半导体和N型半导体是半导体材料的两种基本类型,判断它们主要基于以下几个方面: 一、掺杂元素 P型半导体:通常通过掺杂硼(B)、铝(Al)或其他三价元素制成。这些杂质原子会在晶格中替代硅原子,由于它们比半导体原子少一个价电子,因此会在半导体晶格中形成空穴,使得材料呈现出以正电荷载流子(空穴)为主的导电性。 N...
一般来说,杂质半导体有两种,即N型半导体和P型半导体。在本征半导体中,电子的浓度等于空穴的浓度。通过掺入杂质原子,可以让电子和空穴的数目不等,在这种情况下,材料就是非本征的,即n≠p。掺杂原子可以是施主,也可以是受主。如果n>p,那么就是n型半导体,意味着带负电的电子对导体中电流贡献大。如果n<p,那么就是...
本文将介绍p型半导体和n型半导体的概念、特性和应用。 2. p p型半导体是指掺杂了少量三价元素(如硼)的半导体材料。在p型半导体中,硼原子取代了部分硅晶格中的四价硅原子。由于硼原子只有三个共价电子,因此会形成空位,这被称为“空穴”。空穴具有正电荷,并且可以在晶格中移动。 2.1. p型半导体的能带结构与纯...
n 型半导体在集成电路中有广泛应用。p 型半导体也在电子器件制造中不可或缺。杂质浓度会影响 n 型半导体的电学特性。对于 p 型半导体,杂质浓度也是关键因素。n 型半导体的能带结构不同于纯净半导体。 p 型半导体的能带同样发生了变化。制备 n 型半导体需要精确控制杂质掺入量。制造 p 型半导体也要求严格把控杂质...