今天痞子衡给大家讲的是英飞凌MirrorBit工艺NOR Flash的扇区架构设计。 NOR Flash 大家都很熟悉,其内部按组织从小到大分为 Page(128B/256B/512B)、Sector(4KB)、Block(32KB/64KB/128KB/256KB)、Chip,其中 Page 是编程单元,Sector/Block/Chip 是擦除单元(一个 Block 由多个 Sector 组成,一颗 Chip 由多个 Bloc...
NOR Flash 大家都很熟悉,其内部按组织从小到大分为 Page(128B/256B/512B)、Sector(4KB)、Block(32KB/64KB/128KB/256KB)、Chip,其中 Page 是编程单元,Sector/Block/Chip 是擦除单元(一个 Block 由多个 Sector 组成,一颗 Chip 由多个 Block 组成)。关于擦除,Flash 提供了不同大小的单元粒度,也是为需要数据...
存在坏块(Bad Block):制作工艺和nand本身的物理性质导致在出厂和正常使用过程中都会产生坏块。 nor flash和nand flash区别:https://www.cnblogs.com/iriczhao/p/12128451.html 闪存设备的特性 闪存的最小寻址单位是字节(byte),而不是磁盘上的扇区(sector)。 这意味着我们可以从一块闪存的任意偏移(offset)读数据,...
Page Program (PP) 指令允许在单次操作中向内存中编程最多256字节的数据。要被编程的内存目标必须位于由块保护(TBS, BP3, BP2, BP1, BP0)位设置的受保护内存区域之外。任何尝试向写保护页面编程的PP指令都将被忽略。在执行PP指令之前,必须通过Write Enable (WREN) 指令启用Write Enable Latch (WEL)。 PP指令...
NAND FLASH扇区管理 && NOR+NAND以及SRAM+NAND 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域...
Quad Page Program (32H) ：QSPI写命令，时序如下：Sector Erase (SE) (20H) ：Sector擦除命令，时序如下：GD25Q32ESIGR就介绍到这里，读者可以在兆易创新官网下载该NOR FLASH的datasheet以获取更多信息。11.3 硬件设计 紫藤派开发板SPI——NOR FLASH的硬件设计如下：从图中可以看出，本实验使用的是普通单线...
1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区(Sector),而NAND Flash把整个存储区分成若干个块(Block),可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。 2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的,而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块...
Infineon NOR flash memory including SEMPER™, LPDDR flash, HYPERFLASH™, and serial/parallel NOR. Octal, Quad, HYPERBUS™, and parallel interface support
在MX25L1606 中,存储器有块(block)、扇区(sector)和页(page)的概念。页大小为256 字节,每个扇区包含16页,扇区大小为4K(4096)字节,每个块包含16 个扇区,块的大小为64K(65536)字节,其组织结构示意图详见表6.5。 表6.5 MX25L1606 存储器组织结构
Quad Page Program (32H) :QSPI写命令,时序如下: Sector Erase (SE) (20H) :Sector擦除命令,时序如下: GD25Q32ESIGR就介绍到这里,读者可以在兆易创新官网下载该NOR FLASH的datasheet以获取更多信息。 19.3硬件设计 红枫派开发板SPI——NOR FLASH的硬件设计如下: ...