2.2 配置选项二:仅最后一个Block能拆分出Sector 如果仅将 CFR1[2] 设为 1,这种情况下 Flash 最后一个 Block(256KB) 里会包含 32个 4KB Sector,即 0x03FE0000 - 0x03FFFFFF 区域可用 Sector Erase 命令(0x20/0x21)去擦除,其余 Block 则无法拆分。 2.3 配置选项三:第一个和最后一个Block能拆分出Sector...
2.2 配置选项二:仅最后一个Block能拆分出Sector 如果仅将 CFR1[2] 设为 1,这种情况下 Flash 最后一个 Block(256KB) 里会包含 32个 4KB Sector,即 0x03FE0000 - 0x03FFFFFF 区域可用 Sector Erase 命令(0x20/0x21)去擦除,其余 Block 则无法拆分。 2.3 配置选项三:第一个和最后一个Block能拆分出Sector...
以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分),就是这个片子的...
NOR Flash 的识别程序由四个读写周期就可以完成,在Flash的相关命令表中可以查到相应ID识别的命令。 2) NOR Flash的擦除 要对NOR Flash进行写操作,就一定要先进性擦除操作。NOR Flash 的擦除都是以块(sector)为单位进行的,但是每一种型号的Flash的sector的大小不同,即使在同一片的Flash内,,不同sector的大小...
在MX25L1606 中,存储器有块(block)、扇区(sector)和页(page)的概念。页大小为256 字节,每个扇区包含16页,扇区大小为4K(4096)字节,每个块包含16 个扇区,块的大小为64K(65536)字节,其组织结构示意图详见表6.5。 表6.5 MX25L1606 存储器组织结构
本文的主要研究对象是兼容CFI 2.0 (JESD68.01)标准的Asynchronous SDR SLC Parallel NOR Flash。 2.2 Parallel NOR内存模型 NOR内存单元从大到小一般分为如下5层:Device、Block、Sector、Page、Byte,其中Byte、Page和Sector是必有的,因为Byte是读取的最小单元(即可以任意地址随机访问),Page是编程的最小单元,Sector是...
NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。 以GD25Q64E为例,该 Flash为64M-bit大小,即8192K-Byte。 W25Q64将8M的容量分为127个块(Block),每个块大小为64K字节,每个块又分为16个扇区(Sector),每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区,也就是...
本公开提供了一种NorFlash及其擦除方法、擦除系统,NorFlash包括若干个初始存储单元和掉电不丢失的第一预设存储区域,第一预设存储区域用于存储待刷新的初始存储单元对应的标识信息,该擦除方法包括:在接收到擦除指令后,基于擦除指令确定并控制对第一存储单元执行擦除操作,基于擦除指令及第一预设存储区域中的标识信息,...
除了读取数据的“Read Data”命令外,写入数据“Page Program”命令、擦除扇区“Sector Erase”命令都有3字节和4字节地址模式的版本。 W25Q256型号的FLASH支持3字节访问主要是为了兼容它的低型号芯片,如W25Q128、W25Q64型号的芯片容量分别为16M字节和8M字节,它们的访问命令都使用3字节;为了兼容,W25Q256还有强制4地址...
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