NOR Flash 大家都很熟悉,其内部按组织从小到大分为 Page(128B/256B/512B)、Sector(4KB)、Block(32KB/64KB/128KB/256KB)、Chip,其中 Page 是编程单元,Sector/Block/Chip 是擦除单元(一个 Block 由多个 Sector 组成,一颗 Chip 由多个 Block 组成)。关于擦除,Flash 提供了不同大小的单元粒度,也是为需要数据...
2.2 配置选项二:仅最后一个Block能拆分出Sector 如果仅将 CFR1[2] 设为 1,这种情况下 Flash 最后一个 Block(256KB) 里会包含 32个 4KB Sector,即 0x03FE0000 - 0x03FFFFFF 区域可用 Sector Erase 命令(0x20/0x21)去擦除,其余 Block 则无法拆分。 2.3 配置选项三:第一个和最后一个Block能拆分出Sector...
NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而...
NOR Flash的使用不需要任何软件支持,可直接运行代码。 NAND Flash 使用之前需要先写入内存技术驱动程序,然后才可以写入操作,写入时千万不能向坏块写入,也就是意味着NAND器件必须时时刻刻进行虚拟映射。 10、 NAND Flash的一些概念:chip,die, Block, plane,page (1)chip是指芯片,一个封装好的芯片就是一个chip; (...
NOR Flash 的识别程序由四个读写周期就可以完成,在Flash的相关命令表中可以查到相应ID识别的命令。 2) NOR Flash的擦除 要对NOR Flash进行写操作,就一定要先进性擦除操作。NOR Flash 的擦除都是以块(sector)为单位进行的,但是每一种型号的Flash的sector的大小不同,即使在同一片的Flash内,,不同sector的大小...
NAND FLASH扇区管理 && NOR+NAND以及SRAM+NAND 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域...
相比之下,NAND闪存采用了串行连接的存储单元结构,多个存储单元被组合成一个页(page),多个页再组合成一个块(block),从而形成一个存储数组。NAND闪存的读取和写入是以页为单位进行的,而非单个字节。这种结构使得NAND闪存具有较高的存储密度,能够存储更多的数据,适用于需要大容量存储的应用。
(2)基本存储单元的串联结构决定了NAND FLASH无法进行位读取,也就无法实现存储单元的独立寻址,因此程序不可以直接在NAND 中运行,因此NAND是以Page为读取单位和写入单位,以Block为擦除单位,见图3.6。 (3)NAND FLASH写入采用F-N隧道效应方式,效率较高,因此NAND擦除/写入速率很高,适用于频繁擦除/写入场合。同时NAND是...
以下是NAND和NOR Flash的应用调试笔记: 对于NAND Flash,其操作包括擦除和编程,擦除的最小单位是块(block),编程的最小单位是页(page)。由于页的大小比块小很多,因此NAND Flash的读、写、擦等速度比NOR Flash要快很多,而擦除操作比读操作要慢。对于NOR Flash,其操作包括擦除和编程,擦除和编程的最小单位都是...
NOR Flash：NOR Flash具有较快的读取速度和较低的读取延迟。由于其并行访问特性，可以在任意地址上直接读取数据，适合快速执行代码和读取关键数据。NAND Flash：NAND Flash的读取速度较慢，并且具有较高的读取延迟。由于其串行访问特性，必须按照页面（Page）或块（Block）的单位进行读取操作。编程和擦除：NOR Flash：...