1、充分利用内部寄生二极管的优势。在系统上电时，利用内部寄生二极管，当Vgs电压超过Vth电压后，NMOS管将完全导通；2、通过R87和R88电阻进行分压，以调节Vgs电压。适当提高Vgs电压，可以减小Ron，从而降低压降和损耗；3、加入D25稳压二极管，以确保Vgs电压不会超过其极限值，保护NMOS管免受损坏。接下来，我们讨论低端...
当VDS>VGS-VTH时,NMOS管处于饱和区,其对应的电流为: 根据ID的公式,计算ID的值: 上图中,是NMOS管ID的计算,其中计算的前提,是假设V0和V1的值,使得NMOS管工作在饱和区,且忽略沟道调制效应。从上面右边的推导来看,整体还不算复杂,最后也能推导出ID的结果。 但是如果,电路变成下图所示呢? 这个时候,就发现,想...
C/cm (1) 式中C’’ox为单位面积的氧化电容(F/cm2);且该式只适用于Vox-VTH > 0的场合,VTH是栅极的阈值电压;Vox是氧化层上的电压; 由于漏源电压为VDS,且源极接地,故漏极电压即为VDS,因此沟道中沿沟道方向存在电压梯度,假设沟道与源区N型扩散区的交界点为坐标原点,则沟道与漏区N型扩散区的交界点为坐...
亚阈值导电性 Vg<Vth时,沟道处会形成三极管 Vg变化,Vb会变化,此时三极管的电流会呈现指数的变化 沟道调制效应 体效应 原先的两排电子,现在VB<0,意味着现在可能有四排电子在耗尽层,意味着Vth增大 饱和区 __EOF__
当VDS>VGS-VTH时,NMOS管处于饱和区,其对应的电流为: 根据ID的公式,计算ID的值: 上图中,是NMOS管ID的计算,其中计算的前提,是假设V0和V1的值,使得NMOS管工作在饱和区,且忽略沟道调制效应。从上面右边的推导来看,整体还不算复杂,最后也能推导出ID的结果。
需要注意的是,NMOS管的导通条件是栅极电压相对于源极电压必须大于一定的阈值电压(Vth),否则沟道中的电子将无法被吸引到栅极附近,无法形成导电通道。此外,NMOS管还具有一定的电阻和电容等电学特性,这些特性会影响其在电路中的表现。 二、G极的作用和重要性 栅极(G)是NMOS管的控制电极,通常用于接收输入信号。通过控制...
在一般情况下,Vth的计算公式可以表示为: Vth = Vt0 + γ(√(2φf + |Vsb|) √(2φf))。 其中,Vt0是与工艺相关的常数,通常在0.3V左右;γ是与沟道长度调制系数相关的常数;φf是内建电场的常数,通常在0.7V左右;Vsb是源极和基准电压之间的电压。 另外,Vth也可以通过实际测量得出,或者通过SPICE模拟器...
驱动篇 - NMOS管应用 一、原理介绍如上图,NMOS管是压控型器件,Vgs电压大于Vth开启电压时,内部沟道在场强的作用下导通,Vgs电压小于Vth开启电压时,内部沟道截止; Vgs电压越高,内部场强越大,导通程度越高,导…
Nmos管,全名为N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是电子元器件中常用的一种开关器件。其导通条件是栅极电压(Vg)高于源极电压(Vs),即Vgs > Vth(阈值电压)。在高端驱动场景下,Nmos管的源极电位接近或等于电源电压,这就意味着传统的直接驱动方式不再适用,需要寻找新的解决方案。
NMOS管的主回路电流方向为D极到S极,导通条件为VGS有一定的压差,即VG-VS>VTH;PMOS管的主回路电流方向为S极到G极,导通条件为VSG有一定的压差,即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管,S极接地,只要给G极一定电压即可控制其导通关断;把PMOS作为上管,S极接VIN,G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管,但...