接下来，我们进一步探讨NMOS和PMOS的导通特性。当Vgs超过特定阈值时，NMOS便会导通，特别适用于源极接地的情况（即低端驱动），此时栅极电压仅需达到4V或10V即可。而PMOS则相反，其导通需满足Vgs小于特定值，更适用于源极接VCC的情况（即高端驱动）。尽管PMOS在高端驱动方面具有潜力，但因其导通电阻较大、价格较高以及...
NMOS：电子是主要的载流子，电流从源极（Source）流向漏极（Drain）。当栅极（Gate）电压高于源极电压时，NMOS导通。PMOS：空穴（正电荷）是主要的载流子，电流从漏极流向源极。当栅极电压低于源极电压时，PMOS导通。2. 导通/关断控制 NMOS：当栅极电压高于源极电压时，NMOS导通；当栅极电压低于源极电压时，NMOS关断...
对于灯泡这种阻性原件使用PMOS和NMOS都是可以的,但是使用PMOS需要将S极放在靠近5V电源的位置,而NMOS需要S极放在GND的位置。以PMOS为例,如果PMOS放在灯泡下面:S极隔一个灯泡靠经电源。当低电平输入开启PMOS时,由于PMOS导通,此时S极相当于接地,如果要继续保持PMOS导通则输入电压需要低于0V,这是无法做到的,同理NMOS放...
箭头指向内为NMOS管,箭头指向外为PMOS。 导通条件 NMOS的特性,Vgs大于一定的值(|Vgs(th)|)就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动);PMOS的特性,Vgs小于一定的值(|Vgs(th)|)就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等...
NMOS是N型沟道,P型衬底,衬底接最低电位,PMOS是P型沟道,N型衬底接最高电位。这样是为了源漏端和衬底形成P-N结反偏,不然电流从源漏端直接正向导通到地。击穿说的也是这个P-N结反向击穿。因为沟道和衬底的材料不同,所以栅压变化才会有耗尽层-反型层形成的说法。
PMOS管 使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。 审核编辑:汤梓红
一、NMOS 和 PMOS 的区别 1.结构 NMOS 和 PMOS 的结构相似，都是由 n 型和 p 型半导体夹杂着一层氧化膜构成的。不同之处在于，NMOS 的氧化膜上覆盖着一层金属，通常是钨或铜，而 PMOS 则覆盖着一层氮化硅或氧化铝等绝缘材料。2.特性 NMOS 和 PMOS 的特性也有所不同。NMOS 的导通电阻小，通常用于低...
PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。 NMOS和PMOS工作原理 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极...
PMOS管 使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。 编辑:黄飞
与NMOS管驱动能力相同的一个PMOS管，其器件面积可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入输出电容，而这些相关的参数容易导致电路的延迟。同样，在相同的尺寸条件下，PMOS管沟道导通电阻比NMOS要大一些，这样开关导通损耗相应也会比NMOS管要大一些。在沟道方面我们还可以进行再详解：NMOS 的沟道是由 n...