这个电场会吸引电子,使得沟道形成导电通道,从而电流能够流经MOS管。MOS管的导通特性可以通过其导通电阻来描述,导通电阻越小,表示MOS管导通时的电流越大。 接下来,我们来讨论ds压降对MOS管导通的影响。ds压降是指源极和漏极之间的电压差,也可以理解为沟道两端的电压。在MOS管导通时,ds压降会对其工作产生一定的影响...
N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好...
N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。只要Vg在其额定电压下，越大其阻抗越低
这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通, P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,...
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