NMOS管中,如果衬底电压变得更负,则耗尽层()。 A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 查看答案
NMOS的夹断现象是指当漏源电压(Vds)增加到一定程度时,漏端的沟道会消失,只剩下耗尽层,这种情况被称为“预夹断”。继续增大Vds,夹断点会向源极方向移动。这种夹断现象会影响电流的行为。 在NMOS的夹断区,电流会出现饱和,载流子(电子)只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动,其运动受到限制。这是...
说到体效应,在之前我们都是默认衬底端接电到了GND,也就是说我们默认把VSB的值认为是一个固定值,那么VTH就可以根据之前的公式去求得,BUT,我们知道当VB变得更负(或者说VSB的相对值变得更负),那么将有更多的空穴被吸引到衬底电极,进而留下来了大量的电荷,使得耗尽层变得更宽 因此,此时受体效应影响的阈值电压VTH的...
增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。 ② vGS>0 的情况 若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体...
对于MOS晶体管,栅极电压确定在漏极和源极之间是否会发生电流流动。让我们进一步看。当足够正的Vgs电压施加到NMOS的栅极时,正电荷将置于栅极上方,如图3所示。这些正电荷将排斥p型衬底的少数载流子,即来自衬底的空穴,留下产生耗尽区的负电荷受体离子。如果我们进一步提高Vgs,则在某些电势水平下,它甚至会使表面吸引电子。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应...
其中 是多晶硅栅和衬底的功函数之差的电压值, 里面的Nsub是衬底的掺杂浓度,q是电子电荷,ni是硅的本征载流子浓度,Qdep是耗尽区的电荷,Cox是单位面积的栅氧化层电容。 当然我们实际计算不可能用上面的数学公式,因为这些个参数,我等凡人怕是不好测试到哦,当然就算是烧炉子的老师傅怕也是不好得到上面的参数进而求解到...
对于MOS晶体管,栅极电压确定在漏极和源极之间是否会发生电流流动。让我们进一步看。当足够正的Vgs电压施加到NMOS的栅极时,正电荷将置于栅极上方,如图3所示。这些正电荷将排斥p型衬底的少数载流子,即来自衬底的空穴,留下产生耗尽区的负电荷受体离子。如果我们进一步提高Vgs,则在某些电势水平下,它甚至会使表面吸引电子。