导通电阻是影响NMOS导通压降的主要因素。导通电阻越小,导通压降就越小。因此,在选择NMOS时,需要选择合适的导通电阻,以满足具体的应用需求。 电流 电流也是影响NMOS导通压降的因素之一。在相同的导通电阻下,电流越大,导通压降就越大。因此,在设计电路时,需要根据具体的电流需求来选择合适的NMOS。 栅源电压 栅源电压...
图1与非门逻辑原理电路中,输入端的扇入系数直接影响输出电压值(高、低电平),扇入系数为n,就是n个串联的驱动管,输出低电平的电压值就是n个NMOS管导通时UDS压降之和。若n个输入全是低电平时,就是n个负载管并联,使负载电阻变小,输出高电平电压值变高。为了保持和前后级电路的电平电压的一致性,在每个输入和输出...
NMoS构成的开关电路如图1所示,其参数为该电路用于使发光二极管导通或截止。二极管的正向压降为V=15V。如果输入时二极管导通电流为12mA,试确定此时R及的数值图
NMoS构成的开关电路如图所示,其参数为该电路用于使发光二极管导通或截止。二极管的正向压降为时二极管导通电流为12mA试确定此时R及s的数值
百度爱采购为您找到125条最新的nmos管导通压降产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
NMOS构成的开关电路如图3.1所示,其参数为 K_n=4mA/V , V_T=0.8V 该电路用于使发光二极管导通或截止。二极管的正向压降为 V_F=1.5V_o 如果输入 v_1=5V 时二极管导通电流为12 mA,试确定此时 R_d 及vDs的数值。dg图3.1例3.1电路 相关知识点: ...
6.NMOS构成的开关电路如图所示,其参数为该电路用于使发光二极管导通或截止。二极管的正向压降为时二极管导通电流为12mA试确定此时R及的数值
百度爱采购为您找到6家最新的nmos体二极管导通压降产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
NMOS导通压降是指在NMOS作为开关导通时,漏极(D)和源极(S)之间的电压降。这个压降是由于导通电阻Rds(on)的存在而产生的。导通电阻是NMOS在导通状态下,漏极和源极之间的等效电阻。导通压降的大小取决于导通电阻Rds(on)和通过NMOS的电流。在特定的电流下,导通压降可以通过测量漏极和源极之间的...
NMoS构成的开关电路如图所示,其参数为该电路用于使发光二极管导通或截止。二极管的正向压降为如果输入时二极管导通电流为12mA,试确定此时R及的数值图