NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes汪正鹏南京大学Zhengpeng WangNanjing University 展开更多 0条评论 guansheng发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白!
1、氧化镓(ga2o3)基功率器件以其超宽的禁带宽度(4.9ev)、超高的临界击穿场强(8mv/cm)以及低成本、大批量和高质量的单晶衬底生长的优势,逐渐成为功率器件领域的新宠。β-ga2o3是众多ga2o3晶相中唯一可以采用熔体法生长的晶体结构,相比于传统的硅基以及第三代半导体材料氮化镓、碳化硅等半导体材料,β-ga2o3基功...
凝胶粉在关键词*中图分类号*溶胶 $ 凝胶’I/G.!H#’电导’Q!R%HR’气敏性能HF#A) #探索新型金属复合氧化物及对其气敏效应进行深入研究’ 以期克服 S:H、 T:H!、 U2!H=等材料在灵敏度和选择性等方面的不足’ 发掘优质高效气体传感器的新领域V&$(W) 8 型半导体 G.!H=QR#、Q!R%HR 等还原性...
Ga2O3 rectifiershigh breakdownIn this study, we present the fabrication and characterization of vertically oriented NiO/β polymorph n-Ga2O3/n+ Ga2O3 heterojunction rectifiers featuring a substantial area of 1 mm2. A dual-layer SiNX/SiO2 dielectric field plate edge terminati...
近日,中山大学卢星副教授、王钢教授团队总结了NiO/-Ga2O3异质结在功率器件领域的研究进展,并对其未来的发展做出了展望。综述从NiO/-Ga2O3异质结的构建、表征和器件性能三个方面展开,讨论了溅射法制备的NiO/-Ga2O3异质结的结晶性质、能带结构和载流子运输特性,并介绍了包括NiO/-Ga2O3异质pn结二极管(HJD)、结势垒...
ga2o3nio复合氧化物的溶胶凝胶法制备和气敏性能气敏溶胶性能氧化物气敏和气敏性能气凝胶制备法制备ga2o凝胶法制备 +A + " * 11 f 9 &’() *’+,’- .’-/+0 : 123+ 45678 9:5);8 #)! / ! "++,- "! 9 + : ? +A N +6 ‘1#a1[b ...
p-NiO/β-Ga2O3垂直异质结二极管的设计与仿真 概述: 垂直异质结二极管是一种具有广泛应用潜力的新型半导体器件。本文将介绍一种基于p-Nickel Oxide (p-NiO)和β-Gallium Oxide (β-Ga2O3)材料的垂直异质结二极管的设计和仿真结果。该器件具有高电导率、高击穿电场强度和较宽的禁带宽度等优点,特别适合高电压、高...
近日,中山大学卢星副教授、王钢教授团队总结了NiO/β-Ga2O3异质结在功率器件领域的研究进展,并对其未来的发展做出了展望。综述从NiO/β-Ga2O3异质结的构建、表征和器件性能三个方面展开,讨论了溅射法制备的NiO/β-Ga2O3异质结的结晶性质、能带结构和载流子运输特性,并介绍了包括NiO/β-Ga2O3异质pn结二极管(HJD...
稿件投诉 《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者:徐童龄,罗浩勋,邓郁馨,陈梓敏,裴艳丽,卢星,王钢单位:中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室 展开更多 limit发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万
用溶胶-凝胶法制备了Ga2O3-NiO复合金属氧化物气敏材料,对其相组成,电导和气敏性能作了研究.结果表明:镍镓物质的量比n(Ni2+):n(Ga3+)=0.7～0.9:2,800℃下热处理4h,得到纯相尖晶石型复合金属氧化物NiGa2O4.缺陷GaNix的反应(GaNIx→GaNi′h·),使NiGa2O4呈p型半导体.n(Ni2+):n(Ga3+)=1:2凝胶粉在...