此外,NiO/β-Ga2O3异质结结构也被广泛用于其它器件结构,如结势垒肖特基二极管(JBS)、结场效应晶体管(JFET)和边缘终端(ET)结构等。 近日,中山大学卢星副教授、王钢教授团队总结了NiO/β-Ga2O3异质结在功率器件领域的研究进展,并对其未来的发展做出了展望。综述从NiO/β-Ga2O3异质结的构建、表征和器件性能三个...
此外,NiO/-Ga2O3异质结结构也被广泛用于其它器件结构,如结势垒肖特基二极管(JBS)、结场效应晶体管(JFET)和边缘终端(ET)结构等。 近日,中山大学卢星副教授、王钢教授团队总结了NiO/-Ga2O3异质结在功率器件领域的研究进展,并对其未来的发展做出了展望。综述从NiO/-Ga2O3异质结的构建、表征和器件性能三个方面展开...
本发明提出一种垂直结构的NiO/Ga2O3 JFET及其制备方法.该器件结构自下而上依次为漏极金属层,N+型Ga2O3衬底,N型Ga2O3漂移层,P型NiO层,栅金属层,Al2O3隔离层,离子注入Si+的高掺杂N+区以及源极金属层.其中,Ga2O3漂移层中刻蚀出鳍型结构,P型NiO层与栅金属层依次位于其两侧.本发明采用Ni/NiO/Ga2O3异质...
此外,NiO/β-Ga2O3异质结结构也被广泛用于其它器件结构,如结势垒肖特基二极管(JBS)、结场效应晶体管(JFET)和边缘终端(ET)结构等。 近日,中山大学卢星副教授、王钢教授团队总结了NiO/β-Ga2O3异质结在功率器件领域的研究进展,并对其未来的发展做出了展望。综述从NiO/β-Ga2O3异质结的构建、表征和器件性能三个...