产品编号: NE3515S02-T1C-A 制造商: CEL 类别: 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装: 托盘 晶体管类型: HFET 频率: 12GHz 增益: 12.5dB 额定电流(安培): 88mA 噪声系数: 0.3dB 功率- 输出: 14dBm 封装/外壳: 4-SMD,扁平引线 供应商器件封装: S02 描述: FET RF HFET 12GHZ 2V ...
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NE3515S02-T1C-A 厂商: CEL 封装: SMD4 描述: RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02 数据手册:下载NE3515S02-T1C-A.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 NE3515S02-T1C-A 数据手册 下载PDF NE3515S02-T1C-A 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 很抱歉,暂时无法提供与“NE3515S02-T1C-A”...
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NE3515S02-T1C-A 仓库库存编号: NE3515S02-T1C-ACT-ND 描述: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 ROHS: 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 详细描述: RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02 ...
制造商型号:NE3515S02-T1C-A 制造商: Renesas Electronics America Inc 产品类别:Obsolete 商品描述:SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 14.694.69 库存数量:0 可立即发货发货时间:国内(1~2天)最小起订:1 单价:¥4.69总价:¥4.69 ...