晶体管类型 NPN 频率-跃迁 7GHz 增益 11.5dB 功率-最大值 200mW 工作温度 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 NE85633-T1B-A 技术参数 品牌: CEL 型号: NE85633-T1B-A 封装: SOT-23 批次: 1128+ 数量...
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浏览历史 NE85633-T1B-A 产品参数 详细描述 产品资料 不同Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 20mA,10V 供应商器件封装 SOT-23 功率- 最大值 200mW 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz 增益 11.5dB 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 晶体管类型 ...
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型号: NE85633-T1B-A PDF下载: 下载PDF文件 查看货源 内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR] 分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器 文件页数/大小: 26 页 / 828 K 品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]NPN...
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型号 NE85633-T1B-R23-A 制造商 CEL 系列 - 包装 Tape & Reel (TR) 零件状态 Obsolete Transistor 类型 NPN 电压- 集射极击穿 (最大) 12V 频率- Transition 7GHz 噪声系数 (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz 增益 11.5dB 最大功率 200mW DC Current 增益 (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V ...
制造商零件型号 NE85633-T1B-A 现有库存数量 2000可立即发货 制造商 标准卷带 类别 分立半导体产品 点击下载Pdf 点击下载PDF 系列 CEL 价格 ￥电询 描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 立即咨询 0755-82789005 WHY CHOOSE US 为什么选择铭顺信 15年行业经验,更擅长解决冷门IC采购难题 ...
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