雷龙的SD NAND有很多型号，在测试中使用的是CSNP4GCR01-AWM与CSNP32GCR01-AOW。芯片是基于NAND FLASH和 SD控制器实现的SD卡。具有强大的坏块管理和纠错功能，并且在意外掉电的情况下同样能保证数据的安全。其特点如下：接口支持SD2.0 2线或4线；电压支持：2.7V-3.6V；默认模式:可变时钟速率0 - 25MHz，...
1、测试Nand Flash位反转方案Nand Flash由于本身硬件的内在特性,极其偶尔的会导致出现位反转的现象。所谓的位反转,指的是原先Nand Flash中的某个位,变化了,即要么从1变成0了,要么从0变成1了。一 位反转现象及原因Nand Flash的位反转现象,主要是由以下一些原因/效应所导致:1.漂移效应(Drifting Effects)漂移效应指...
NANDFlash,器件性能测试,眼图测试,抖动测试,时序测试,电源纹波测试 所在地 北京市海淀区永泰庄北路1号天地邻枫2号楼A座B101 联系电话 18601085302 手机 18601085302 联系人 邓经理请说明来自顺企网,优惠更多 请卖家联系我 详细介绍 NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在存储单元(memorycell),一般来说,一个单元中...
★测试环境: →硬件环境:Intel (R) Core (TM)2 Duo CPU T5850 @2.16GHz,2.00GB内存。 →软件环境:FLASH CS3,Adobe Flash Player 9.0 r45,AVM2。 →FLASH IDE环境:舞台尺寸:750×500像素,帧频:24 fps。 ★本文所用到的简称: →FP:FLASH PLAYER。 →MC:影片剪辑元件。 →BTN:按钮元件。 →G:图形...
雷龙的SD NAND有很多型号,在测试中使用的是CSNP4GCR01-AWM与CSNP32GCR01-AOW。芯片是基于NAND FLASH和 SD控制器实现的SD卡。具有强大的坏块管理和纠错功能,并且在意外掉电的情况下同样能保证数据的安全。 其特点如下: 接口支持SD2.0 2线或4线; 电压支持:2.7V-3.6V; ...
雷龙的SD NAND有很多型号,在测试中使用的是CSNP4GCR01-AWM与CSNP32GCR01-AOW。芯片是基于NAND FLASH和 SD控制器实现的SD卡。具有强大的坏块管理和纠错功能,并且在意外掉电的情况下同样能保证数据的安全。 其特点如下: 接口支持SD2.0 2线或4线; ...
为了发现Nand Flash位反转的现象,希望通过对Nand Flash的某一块或者几块的区域频繁的进行erase、write和read操作,以这种频繁的操作程度对Nand Flash的影响可以增加Nand Flash产生位反转的机会,从而可以对Nand Flash造成的上述的几个位反转的原因进行进一步的研究。为了发现Nand Flash位反转的现象,测试此问题需要解决几个...
雷龙的SD NAND有很多型号,在测试中使用的是CSNP4GCR01-AWM与CSNP32GCR01-AOW。芯片是基于NAND FLASH和 SD控制器实现的SD卡。具有强大的坏块管理和纠错功能,并且在意外掉电的情况下同样能保证数据的安全。 其特点如下: 接口支持SD2.0 2线或4线; 电压支持:2.7V-3.6V; ...
雷龙的SD NAND有很多型号,在测试中使用的是CSNP4GCR01-AMW与CSNP32GCR01-AOW。芯片是基于NAND FLASH和 SD控制器实现的SD卡。具有强大的坏块管理和纠错功能,并且在意外掉电的情况下同样能保证数据的安全。 其特点如下: 接口支持SD2.0 2线或4线; 电压支持:2.7V-3.6V; 默认模式:可变时钟速率0 ...
时钟信号CLK,NAND Flash测试,Emmc测试,信号完整性测试在这里插入图片描述图7. JEDEC定义的eMMC信号电路***关于这些上拉电阻的阻值范围,在标准的Table 200有描述如下,***时根据实际情况参考底部的Note挑选适合的值:在这里插入图片描述图8. 标准中推荐的eMMC总线上拉电阻阻值范围--- 所属分类:中国商务服务网 / 电子...