1. 诞生背景 P–I–N光电二极管是一种具有P-I-N结构的光电二极管。它的诞生是为了满足现代通信、医疗、科研等领域对于光电转换精度和速度的需求。P–I–N光电二极管由于其独特的结构，使得其在光电转换效率、响应速度等方面具有优秀的性能。2. 相关理论或原理 P–I–N光电二极管的工作原理主要是利用了半导体材料的...
通常,这个i区是轻掺杂的N区,原因主要有两个:一是,通过使用中子嬗变的工艺,可制造出掺杂浓度低且非常均匀的N型掺杂;二是,对于同一给定电压级别,P+N结制成的器件厚度比N+P结制成的器件厚度要薄,同时器件功耗是与它们的厚度平方约成正比增加的。前面已经提到了P-i-N结构的P+N结区了,下面介绍剩下的N区的必...
本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法,解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题,从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管,其具体结构为:由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型...
具有p-i-n型半导体机构的光电二极管。 PIN型光电二极管是在n型掺杂和p型掺杂中间存在本征层(i:即未掺杂的)的光电二极管。大多数光子是在本征层被吸收,然后在该处产生载流子形成光电流。在图1中,电极显示为黑色:阴极是平的电极,而阳极则是环形(其中两个相反的部分可以在交叉区域看到)。偏置电压(反向)的正极与阴...
【答案】：P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于0.92μm的光不吸收．因此．在光通信用的1.5～1.65μm波段不产生吸收损耗．I-InGaAs的禁带宽度为0.75eV(对应截止时波长1.65μm)，在1.3～1.6μm波段上表现出较强的吸收．几微米厚的I层，就可以获得很高的响应度．这样，对于光通信的低损...
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第04讲:第一章I1.2半导体二极管是西安交大模拟电子_数字电子技术基础的第4集视频,该合集共计139集,视频收藏或关注UP主,及时了解更多相关视频内容。
高性能的InGaAs的p-i - n光电二极管 “意法半导体有源器件贴装 13PD150-ST 该13PD150 -ST是一种InGaAs光电二极管具有150微米直径的感光区域 封装在TO - 46头和对齐在一个AT&T ST有源器件装配,旨在为 高的耦合效率,以多模光纤在中度至高速应用。平面 ...
所述p-i-n二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积,所述柱p-i-n二极管的装置比常规平面p-i-n二极管吸收更多的光能量。以阵列形式配置所述p-i-n二极管以使从一个p-i-n二极管反射的光子被邻近第一个p-i-n二极管的另一个p-i-n二极管所俘获和吸收,从而优化能量转换的效率。 法律状态 法律...