二极管的V–I特性曲线1.正向特性正向特性表现为图中的①段。此时正向电压较小,正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压(该电压硅管约为0.5V,锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时,内电场削弱,电流因而迅速增长,呈现出很小的正向电阻。2.反向特性反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载...
二极管的I-V 特性是与温度密切相关的。随着温度的增加 图5-2 带有某些参数定义的快速pin 二极管的I-V 特性 1) 漏电流IR 增加,在常用的最大允许工作温度150℃下,IR可以高于室温下的反向漏电流几个数量级。漏电流的扩散分量和产生分量也都增加;参见式(3-59) 和图3-13。 图3-13 在Si 中, 对应两种复合能...
二极管的I()V特性曲线主要反映了什么?() A、电流与电压的线性关系B、电流与电压的非线性关系C、电流与时间的关系D、电压与时间的关系正确答案:电流与电压的非线性关系 点击查看答案 广告位招租 联系QQ:5245112(WX同号)你可能感兴趣的试题 植物原生质体培养再生植株的第一个环节是()。 点击查看答案 以下哪个...
式中,,R*=4πm*qK2/h3. 当肖特基势垒被施加反向偏压-VR时,将上式中的V换成-VR即可得到反向偏压下的电流-电压关系.于是,M-S结在正反两种偏压下的电流-电压关系可以统一表示为 J=J0[eV/(nVT)-1] 或I=I0[eV/(nVT)-1] 式中,n称为理想化因子.反馈...
第六章pn结二极管：I-V特性 第六章pn结 6.1pn结及其能带图6.2pn结电流电压特性6.3与理想情况的偏差*（了解）6.1pn结及其能带图 据统计：半导体器件主要有67种，另外 还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成：•pn结•金属－半导体接触•MOS结构•异质结•超晶格 6.1pn结及其能带图 1p-...
半导体分立器件(二极管)I-V/C-V测试系统 分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,并观察其响应的过程;通常需要几台仪器进行测试,如数字万用表、电压源、电流源等,从而导致编程复杂、同步耗时、及占用过多测试台的空间,还有由于使用单款功能仪器而存在复杂的相互间触发操作、总线传输速度较慢等问题。
理想发光二极管的I-V特性可由shockley方程式表示如下:式中,凡为反向饱和电流,与电子与空穴的扩散系数、扩散长LM2733YMFX度和热平衡少子浓度有关;/为外加偏压,”0为正向偏压,疼0为反向
是非线性的 1.正向特性 2.反向特性 3.反向击穿特性
实际p-n结的I-V特性:(1正向电流小时,实验值远大于理论计算值,曲线斜率q/2kT(2正向电流较大时,理论计算值比实验值大c段)(3正向电流更大时,J-V关系不是指数关系,而是线性关系(4反向偏压时,实际反向电流比理论计算值大得多,而且 随反向电压的增加略有增加。P 9、+n和n+p突变结,击穿电压随轻掺杂一侧杂质...