2N7002K N沟道场效应管SOT-23封装 丝印72K 现货 复购率:35% 深度验商 ￥0.02成交23笔 深圳市 2N7002KT1G ON Semiconductor 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 复购率:8% 深度验商 ￥0.1成交0笔 上海市 2N7002 封装SOT-23 N沟道 60V 115mA 场效应管MOSFET 电子元器件 ...
FET类型 N沟道MOSFET 漏源电压(Vdss) 60V 漏极电流(Id) 115mA 栅源电压(Vgs) ±20V 最大耗散功率 225 配置类型 Single 工作温度范围 -55℃ ~ +150℃ 安装类型 SMD/SMT 应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军 可售卖地 全国 型号 2N7002 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
型号 2N7002 2N7002/7002 SOT-23 贴片N沟道增强型场效应MOS管原厂长电全新 规格书-原理图-了解详情可联系 (咨询电话:18124089957 微信同号) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以...
合科泰生产的2N7002DW是一种N+N沟道混合MOS管，其性能参数非常优秀，漏源电压60V，栅源电压±30V，连续漏极电流0.3A，漏源导通电阻1.9Ω，最小栅极阈值电压1V，最大栅极阈值电压2.5 V，耗散功率150mW。2N7002DW可用于电动工具、液晶电视、电动自行车、电源、安防、电机等应用。它具有低导通电阻、低栅极阈值电...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002、 ON(安森美)、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: ON(安森美) 封装: SOT-23 批号: 2022+ 数量: 100000 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 60 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 200mW(Ta) ...
2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度与DMOS技术生产。该产品最大限度地降低了导通电阻, 同时提供坚固, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达400mADC的应用, 并可提供高达2A的脉冲电流。适用于低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器。
类型 N沟道MOS管 型号 2N7002 低压MOS管 2N7002的特点: 高密度电池设计,低内阻 电压控制小信号开关 高饱和电流能力 封装:SOT-23 低压MOS管 2N7002的引脚图: 低压MOS管 2N7002的极限值: (如无特殊说明,TA=25℃) 漏极-源极电压 VDS 60V 漏极电流-连续 ID 115mA 功耗PD 225mW 热阻,结到环境 R...
沟道类型 N/ESD VDDS 60V VGS ±30V ID 0.2A RDSON 4000mΩ 封装PACKAGE SOT-23 系列 场效应管/MOS管 包装 3000/盘 特色服务 质量保证 技术支持 可售卖地 全国 型号 2N7002K 场效应管2N7002KMOS管2N7002K封装SOT-23 2N7002K N管2N7002K 大量供应 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,...
型号:2N7002-VB 丝印:VB162K 品牌:VBsemi 参数说明: - N沟道 - 额定电压:60V - 最大电流:0.3A - 静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth):1.6V - 封装类型:SOT23 应用简介: 2N7002-VB是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于多种电子设备和应用领域,具有低电压和...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002、 ONSEMI、 NA 商品图片 商品参数 品牌: ONSEMI 封装: NA 批号: 18+ROHS 数量: 29000 制造商: onsemi FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Ta) 不同...