NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET --NCE2060K NCE2060K NCE0115K NCE2302 NCE3010S NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3400 NCE3416 NCE4060K NCE4080K NCE6003 NCE6005AR NCE6075K NCE6080K NCE65T180F NCE65T360 NCE70T540F等NCE新洁能一级代理全新原装现货,可售样,可提供技术支持...
新洁能NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET --NCE2302 NCE2302 NCE3010S NCE2060K NCE0115K NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3400 NCE3416 NCE4060K NCE4080K NCE6003 NCE6005AR NCE6075K NCE6080K NCE65T180F NCE65T360 NCE70T540F等新洁能一级代理,可提供技术支持,量大价优 LED驱...
ANPEC APM4826K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 说 Copyright © ANPEC Electronics Corp.Rev. A.1 - Aug., 2009 www.anpec.com.tw 1 ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant ...
简单认识P沟道增强型场效应管 P沟道增强型场效应管,简称P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 2024-09-23 17:08:05 n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管,又称nMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件,具有高输入阻抗、低驱动功率和良好的线性特性等优点。根据导电沟道的形成方式,MOSFET可以分为增强型和耗尽型 2024-07-14 11:32:22 P沟道增强型场效应管有哪些特点 P沟道增强型场效应管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Sem...
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 说明书 2N7002T Document number: DS30301 Rev. 15 - 2 1 of 5 www.diodes.com August 2018 © Diodes Incorporated Product Summary Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON...
产品概述:N-Channel Enhancement ModeMOSFET 此器件为40V、13mΩ、SOP8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域。 产品特点: 低内阻 符合RoHS标准 稳定的工艺能力 以下是其它 单N管 MOSFET 40V不同参数,满足不同客户需求 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
首先说MOSFET管的作用，可以作为高阻输入端的放大级，也可以作为大电流驱动的功率级，根据不同应用，使用的管子类型参数也不一样。N-Channel意为N沟道，与NPN三极管的极性接法类似；相反的，P沟道的管子就像PNP三极管了。Enhancement Mode意为增强型，栅极悬空时默认的，管子为不导通，需要在栅极加上与N或...
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETVGS Gate – Source Voltage
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N 沟道增强型 MOS 管 HM3416E VDS= 20 ID=4.2 A RDS(ON), Vgs @ 1.8V, Ids @ 3A = 36mΩ RDS(ON), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.8 A = 28mΩ RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 4.2 A = 24mΩ ESD Protected:2000V Features 特性 Advanced trench...