首先说MOSFET管的作用,可以作为高阻输入端的放大级,也可以作为大电流驱动的功率级,根据不同应用,使用的管子类型参数也不一样。N-Channel意为N沟道,与NPN三极管的极性接法类似;相反的,P沟道的管子就像PNP三极管了。Enhancement Mode意为增强型,栅极悬空时默认的,管子为不导通,需要在栅极加上与N或...
VITELIC MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor:华智MOSFET N沟道增强型场效应晶体管 热度: 页数:3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET - 维库电子市 …:N沟道增强型MOSFET -维库电子市… 热度: 页数:3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET:P沟道增强型MOSFET 热度: 页数:9 from the ...
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N 沟道增强型 MOS 管 HM3416E VDS= 20 ID=4.2 A RDS(ON), Vgs @ 1.8V, Ids @ 3A = 36mΩ RDS(ON), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.8 A = 28mΩ RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 4.2 A = 24mΩ ESD Protected:2000V Features 特性 Advanced trench...
品类 N-Channel Enhancement Mosfet 描述/说明 适用于作负载开关或能源管理的SOT-23塑封封装N道增强型场效应管 封装/外壳/尺寸 SOT-23 包装形式 生命周期 量产中(ACTIVE) 停产时间 最小包装量 3,000 Configuration Single VDS (V) 20V VGS (V) ±10V Vth (V) 0.5V-0.9V 相关研发服务和供...
通道模式 Enhancement 配置 Single 系列 P-Channel Polarity 晶体管类型 1 P-Channel 商标 Micro Commercial Components (MCC) 正向跨导 - 最小值 8 S 下降时间 35 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 17 ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 94 ns 典型接通延迟时间 9.5 ns 单...
N-Channel特性:该MOS管是N沟道类型的,即当栅极相对于源极为正电压时,会吸引电子在半导体表面形成导电沟道,使得源极到漏极可以导电。Enhancement mode:增强型MOSFET意味着它需要在栅极上施加足够的正电压(高于阈值电压)才能形成导电沟道,从而允许电流通过。其他特性:Very low on-resistance @ VGS=4.5V:当栅源电压(...
N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM7002B Feature 60V/0.2A, R DS(ON) = 7.5Ω(MAX) @V GS = 10V. Id = 0.A RDS(ON) = 7.5Ω(MAX) @V GS = 5V . Id = 0.05A Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) . Reliable and Rugged. SOT-23 for Surface Mount Package. ...
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETVGS Gate – Source Voltage
SIC MOSFET SIC DIODE IGBT MODULE MOSFET DIODE MoreProduct Catalogs 250A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh019n04e to-263 US $0.5/ Piece Min. Order:5,000 Pieces Start Order Contact Now Chat with Supplier Inquiry Basket Jiangsu Donghai Semiconductor C...
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 说明书 2N7002T Document number: DS30301 Rev. 15 - 2 1 of 5 www.diodes.com August 2018 © Diodes Incorporated Product Summary Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON...