金融界 2024 年 12 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种磁存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119152902 A，申请日期为 2023 年 6 月。专利摘要显示，本发明公开了一种磁存储单元及 SOT‑MRAM 存储器，应用于 MRAM 存储器技术领域，包括至少一组差分...
专利摘要显示,本发明公开了一种磁存储单元及 SOT‑MRAM 存储器,应用于 MRAM 存储器技术领域,包括至少一组差分位元和辅助磁结构;差分位元包括:自旋轨道矩提供线;位于自旋轨道矩提供线一侧的两个磁性隧道结;差分位元具有平行于自旋轨道矩提供线轴线的第一方向,和与第一方向垂直的初始磁化方向;辅助磁结构对同一差分位...