莫特肖特基方程表示电容平方的倒数与外加电位之间存在线性关系。在MottSchottky图中，这条直线的x轴截距即为平带电位。实验测量与数据分析：通过在一定电位范围内记录EIS数据，可以绘制出MottSchottky图。在分析数据时，需考虑CPE元件对总电容的影响，以确保结果的准确性。CPE的ideality factor应符合电容行为，...
在半导体材料电化学性能研究中，平带电位是关键性质之一，对于n型半导体与溶液界面，平带电位能够直接揭示导带位置。研究中，电化学阻抗谱（EIS）结合Mott-Schottky方程成为测量平带电位的常用方法。平带电位描述的是半导体与溶液接触后，电子在两者的费米能级间传递与平衡的过程。以n型半导体为例，未接触溶液时...
Lee, and S.W. Donne, Flat-Band Potential of a Semiconductor: Using the Mott–Schottky Equation. Journal of Chemical Education, 2007. 84(4): p. 685. 【2】Beranek, R., (Photo)electrochemical Methods for the Determination of the Band Edge Positions of TiO2-Based Nanomaterials. Advances in P...
Mott-Schottky equation分子式:CAS号:性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程,对E作图应...
Mott-Schottky equation (莫特-肖特基方程)， 该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系。
Lee, S. Donne, Flat-band potential of a semiconductor: using the Mott-Schottky equation, J. Chem. Educ. 84 (2007) 685.Gelderman, K.; Lee, L.; Donne, S. W. Flat-Band Potential of a Semiconductor: Using the Mott-Schottky Equation. J. Chem. Educ. 2007, 84 (4), 685-688....
Inadequacy of the Mott–Schottky equation in strongly pinned double Schottky barriers with no deep donors The capacitive behaviour of an intergranular double Schottky barrier in a polycrystalline semiconductor was evaluated. We found that the widely applied ver... F Schipani,CM Aldao,MA Ponce - 《Jo...
补充资料:Mott-Schottky equation 分子式: CAS号: 性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述...
补充资料:Mott-Schottky equation 分子式: CAS号: 性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述...