当然,在使用公式和作图前,需要检查alpha,即CPE的ideality factor,只有非常符合电容行为的CPE,对其Mott-Schottky作图才有意义。 参考文献: 【1】Gelderman, K., L. Lee, and S.W. Donne,Flat-Band Potential of a Semiconductor: Using the Mott–Schottky Equation.Journal of Chemical Education, 2007.84(4): p...
在半导体材料电化学性能研究中，平带电位是关键性质之一，对于n型半导体与溶液界面，平带电位能够直接揭示导带位置。研究中，电化学阻抗谱（EIS）结合Mott-Schottky方程成为测量平带电位的常用方法。平带电位描述的是半导体与溶液接触后，电子在两者的费米能级间传递与平衡的过程。以n型半导体为例，未接触溶液时...
5) Schottky junction 肖特基结 1. The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe p n junction with the Au/i ZnSe/n ZnSe (MIS structure) Schottky junction. 根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全...