功率金属氧化物场效应管(MOSFETs)是最常见的一种场效应晶体管 (FET) 类型。 它们在电路中充当电气开关和功率放大器,根据施加到栅极端子的电压控制源极和漏极之间流过的电量。 其简易的电压开启方式及快速的开关特性帮助工程师在电源和电机驱动产品上设计出更小尺寸、更轻重
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而功率MOS是由电压驱动的,因此只需要向并联连接的每个场效应晶体管提供驱动电压就可以保持相当不错的均衡性,这使得并联连接相对容易,因此并联连接MOS比并联双极晶体管更容易。功率MOS具有优异的热稳定性,不会发生热失控,所以并联功率MOSFETS是一种减少传导损耗和分散功耗以限制最大结温的常用方法,本节主要介绍在各种应用...
图1显示了N沟道功率MOSFET的典型输出特性，其中描述了不同的工作模式。在截止区域中，栅极源极电压（VGS）小于栅极阈值电压（VGS（th）），并且器件处于开路或关断状态。在欧姆区域，该器件用作电阻，其电阻RDS（on）几乎恒定，且等于Vds / Ids。在线性工作模式下，该器件在“电流饱和”区域工作，该区域的漏极电流...
Automotive MOSFETs in... Power MOSFET Basics MOSFET parameters Main types of... Power MOSFET Applications 意法半导体功率MOSFET系列具有很宽的击穿电压范围(-100到1700 V),通过非常先进的封装实现了低栅极电荷和低导通电阻。我们通过面向MDmesh高压功率MOSFET和STripFET低压功率MOSFET的制程技术增强了功率处理能力,从...
MOSFETs Run Electronics Cooler With MOSFETs in the PowerPAK® 1212-F In this video, we explore the new PowerPAK® 1212-F package, which delivers best in class on-resistance, while its source flip technology and central gate design simplify the layout process and enable cooler operation for...
STPOWER的650 V和1700 V碳化硅(SiC)MOSFET基于宽带隙材料的先进性和创新性,具有极低的RDS(on)*面积和出色的开关性能,可实现更高效、更紧凑的系统。
MOSFETs
NCE4606 价格参考￥ 1.8992 。 VBsemi NCE4606 封装/规格: SOIC8_150MIL, MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL。你可以下载 NCE4606 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: NCE4606...
Featured MOSFETsLearn more about our MOSFETs The unclamped inductive switching (UIS) rating has proven to be a useful parameter since becoming prevalent in MOSFET data sheets in the mid-1980s. While repetitive avalanching of the FET is not recommended in actual applications, engineers have ...