4.0.64W损耗不算大,但如果MOSFET还有导通损耗(I × I × RDS(on))和其他损耗,整体发热可能需要散热片。 通过上面的实例可以发现,MOSFET的交叉损耗主要是导通过程中电压和电流重叠产生的,算下来是0.64W,主要由t2(栅极充电)和t3(米勒平台)决定。设计时可以降低驱动电阻、选Cgd小的MOSFET,或者降低开关频率来优化。
总交叉损耗1.47W是MOSFET在开关过程中(导通+关断)的损耗,加上导通损耗(I × I × RDS(on)),就可以结合热阻来评估总发热对应的温升了。 Part 03、总结 MOSFET关断时的交叉损耗主要是T2(米勒平台)和T3(栅极放电)两个阶段,算下来是0.83W,加上导通损耗,总交叉损耗共1.47W。设计时可以降低驱动电阻、选低Cgd的MOS...
导通损耗的计算可以使用以下公式：Pd = I^2 * Rds(on)其中，Pd为导通损耗，I为Mosfet导通时的电流，Rds(on)为Mosfet导通时的通道电阻。开关损耗的计算可以使用以下公式：Ps = (Vsw * Qg * f) + (Vds * Id * ton)其中，Ps为开关损耗，Vsw为Mosfet开关时的电压变化，Qg为Mosfet的输入电荷，f为开关频率，...
导通损耗是指MOSFET在导通状态下产生的功耗。导通损耗可以通过以下公式计算: P_cond = I^2 * Rds(on) 其中,P_cond为导通损耗,I为MOSFET的导通电流,Rds(on)为MOSFET的导通电阻。 导通损耗主要由两部分组成:静态导通损耗和动态导通损耗。静态导通损耗是指MOSFET在导通状态下的稳态功耗,可以通过上述公式计算得到。动...
计算MOSFET栅极损耗之前先看一下RC充电电路 在下面的推导中,计算了电阻上消耗的能量,电容最终存储的能量。推导公式一般的电路书的一阶电路中应该都会有。 最终发现RC电路中,电阻上消耗的能量等于电容上存储的能量,既就是电源需要提供两倍的能量才能给电容充一份能量。 或者说RC充电效率在0.5 ...
MOSFET在电力电子领域应用广泛,损耗是一项重要的应用指标,关系到系统的效率和热是否符合要求。MOSFET的损耗包含开关损耗和通态损耗两部分,通态损耗可以根据电流有效值进行计算,但开关损耗的计算比较复杂,需要考虑多方面因素。尚阳通具有型号丰富的MOSFET,可以满足大部分电力电子领域的损耗需求。
在上图中一旦得到了栅极总电荷,那么栅极电荷损耗就可用下面公式计算:Pgate=VDRV * QG * fDRV;式中VDRV是栅极驱动波形的幅度,fDRV是栅极驱动的频率。这个公式中的QG * fDRV项,它给出了驱动栅极所需的平均偏置电流。驱动MOSFET的栅极损耗在了栅极的驱动电路上。在每个开关循环中,所需要的电荷必须流经输出驱动阻抗...
MOSFET损耗计算 MOSFET在开关过程中,会产生一定的损耗,主要包括以下几部分: 开通损耗 开通过程中的电压、电流和功耗波形近似如下: Pswitch-on = 1/2* VDSiD*(t2-t0)*f 导通损耗 2Pon=Id * Rds(on)*Ton*f 其中: Rds(on) :实际结温下的导通电阻,可以通过查阅datasheet中的相关曲线获得; Id :导通时的...
1 为 Power MOSFET 的最大功率损耗与温度关系图。由图可知，若能有效减少热阻，就能使 Power MOSFET ...