由于扩散运动与漂移运动方向相反,所以最终会形成一个动态平衡。这种动态平衡存在的区域就被称作PN结,或者耗尽层(depletion region)。 内电场的形成 此时,如果我们给PN结加一个正向电压(P→N),此时内电场将会被抵消,动态平衡被打破。在正向电压的作用下,大量的自由电子会从N区注入P区,从宏观上我们就会观察到电流从P...
满足上述条件即认为 MOSFET 工作于亚阈区(Subthreshold Region),或称 弱反型区(Weak Inversion Region)(V_{GS} >V_{TH}下,即非饱和区与饱和区合称为强反型区,Strong Inversion Region)。 I_{D}与V_{GS}呈指数关系 I_{Dsub}=I_{0}exp\left( \frac{q}{kT}\cdot\frac{V_{GS}}{\varsigma } \r...
图中的Channelregion是沟道区域,载流子通过沟道实现在源/漏极之间的传输,W代表沟道宽度,L代表沟道长度。 图2.2丨MOSFET的简单结构, Microelectronic Circuits, Kenneth C. Smith MOSFET的工作原理如图2.3,其中MOS结构的栅极就如同水闸,控制着电子流在源极(Source)与漏极(Drain)之间的通断(图2.3-a/b),也就是说电流...
SOLUTION: This MOSFET is constituted of a first conductive type substrate 3, second conductive type semiconductor regions 1, 2 which are provided along the main surface of one side of the substrate 3, a first conductive type source region 14 provided along the main surface of one side of the...
以平面耗尽型N沟道MOSFET为例,基本结构如下图所示。可以看到,从左到右为NPN的掺杂,在扩散作用下,会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region),根据前面所述,耗尽区是不能导电的,因此漏极(Drain)到源极(Source)在未加外加电场的时是断开的,因此该结构是Normal off的结构。
以平面耗尽型N沟道MOSFET为例,基本结构如下图所示。可以看到,从左到右为NPN的掺杂,在扩散作用下,会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region),根据前面所述,耗尽区是不能导电的,因此漏极(Drain)到源极(Source)在未加外加电场的时是断开的,因此该结构是Normal off的结构。
在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极...
右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义:⑴N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavily doped region),也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开,也就是所谓的基极(或称基体)区域。如果是NMOS,那么其基体...
另一个N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型 区(包括P+和P-区,沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。 而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体...
从半导体物理中我们知道,这会形成耗尽层(depeletion region),即这部分区域中无导电载荷存在。在初始情况下(Gate和source间无电压),耗尽层横亘与source和drain之间,相当于水龙头的阀门关上了,drain和source中的载流子无法传导,即在drain和source间无电流输出。如果我们增加gate和source间的电压VGSVGS,直到出现了右上图...