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N+N MOSFET,分立SIC MOSFET,单N MOSFET,N+P MOSFET,ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE,快恢复二极管,TDP MOS,SJ-MOSFET,沟槽-MOS,DISCRETE SIC-MOSFETS,单P MOSFET,FRED,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,超结MOSFET,VDMOS,中低压SGT MOS,NORMAL TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,多层外延超结MOS,冷MOSFET,COOL-MOS,...
[19] Y. Shi, R. Xie, L. Wang, Y. Shi, and H. Li, “Switching Characterization and Short-Circuit Protection of 1200V SiC MOSFET T-Type Module in PV Inverter Application”, IEEE Trans. on Ind. Electron., to be published. [20] R. Katebi, J.He, N. Weise “An Advanced Three-Lev...
N沟道功率MOSFET的工作原理基于电场效应。当栅极电压超过某一阈值电压(Vth)时,栅极下方的P型半导体中的空穴被排斥,同时电子被吸引到栅极下方的区域,形成N型反型层,即导电沟道。随着栅极电压的增加,沟道中的电子浓度增加,沟道电阻减小,从而允许更大的电流通过。
[6]F.Richardeau, P. Baudesson, T. A. Meynard “Failures-Tolerance and Remedial Strategies of a PWM Multicell Inverter,” IEEE Trans. Power Elec., vol. 17, no.6, pp 905-912, Nov.2002. [7]A. Fayyaz, G. Romano, J. Urresti, M.Riccio, A. Castellazzi, A. Irace, and N. Wrig...
封装 PDFN5x6 批号 23+ 数量 163258 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 9V 长度 7.7mm 宽度 6.1mm 高度 1.5mm 可售卖地 全国 型号 VS4612GP 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
VSO100P06MD Active Dual-P NO SOP8 -60 20 -2.0 90.0 100.0 -4.6 VS3518AH NEW Single-P NO SOT23-6L -30 -25 -1.7 25.0 36.0 -7.0 VS3415BC NEW Single-P YES SOT23 -20 -8 -0.7 -- 76.0 -3.4 VS2508AE NEW Single-P NO PDFN3333 -20 -8 -0.6 -- 9.0 -55.0 VS3407AL NEW Single...
IAUC45N04S6L063H40V, N-Ch, 6.3 mΩ max, Automotive MOSFET, PG-TDSON-8, OptiMOS™ 6 The new integrated half-bridge (5mm x 6mm) from Infineon is the innovative and cost efficient package solution for motor drive & body applications. ...
封装 PDFN5x6 批号 23+ 数量 163258 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2V 最大电源电压 8.5V 长度 3.9mm 宽度 1.3mm 高度 2.9mm 可售卖地 全国 型号 VS1605APM 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...