MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MO...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 MOS场效应管NCE0240、 新洁能NCE200V40A、 TO-220 商品图片 商品参数 品牌: 新洁能NCE200V40A 封装: TO-220 批号: 23+ 数量: 325685 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压...
商标名 OptiMOS 高度 4.4 mm 长度 10 mm 系列 OptiMOS 3 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 9.25 mm 商标 Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值 180 S 下降时间 22 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 14 ns 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 103 ns 典型接通延迟时间 26...
1.开关速度:当MOSFET在开关过程中,其导通和截止时间并非瞬间完成,而是需要一定的时间。因此,当MOSFET从导通状态切换到截止状态时,DS端电感的电流不能立即消失,导致电流逆向流动,产生反向电压。这会导致DS端产生尖峰电压。 2.瞬态过程:在MOSFET的开关过程中,由于电容和电感的存在,会导致瞬态过程的出现。当MOSFET的开关...
产品系列 CoolMOS CE FET类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) VDS max 500 V ID @25°C max 4.3A(Tc) RDS (on) max 950 毫欧 @ 1.2A,13V Vgs(th)max 3.5V @ 100?A (Qg)max 10.5 nC @ 10 V Vgs max ±20V (Ciss)max 231 pF @ 100 V 功率耗散max 53W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150...
Full control over all six power MOSFETs in the 3-phase bridge is provided, allowing motors to be driven with block commutation or sinusoidal excitation.The power MOSFETs are protected from shoot-through by integrated crossover control and optional programmable dead time. Integrated diagnostics provide...
MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MO...
A Damping Scheme for Switching Ringing of Full SiC MOSFET by Air Core PCB Circuit. IEEE Trans. Power Electron. 2018, 33, 4605–4615. [CrossRef] 26. Vaculik, P. The Experience with SiC MOSFET and Buck Converter Snubber Design. Int. J. Elect. Comput. Energ. Commun. 2014, 8, 49–54....