2.Diode pulse current:体二极管脉冲电流 体二极管能够承受的瞬态(脉冲)电流,通常用于描述MOSFET短时间内的耐大电流冲击能力。该参数和体二极管连续正向电流是一样的问题,规格书中的值仅供参考,实际需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流。 3.Diode forward voltage:体二极管正向电压 体二极管导通时的正向压...
2.Diode pulse current:体二极管脉冲电流 体二极管能够承受的瞬态(脉冲)电流,通常用于描述MOSFET短时间内的耐大电流冲击能力。该参数和体二极管连续正向电流是一样的问题,规格书中的值仅供参考,实际需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流。 3.Diode forward voltage:体二极管正向电压 体二极管导通时的正向压...
2.Diode pulse current:体二极管脉冲电流 体二极管能够承受的瞬态(脉冲)电流,通常用于描述MOSFET短时间内的耐大电流冲击能力。该参数和体二极管连续正向电流是一样的问题,规格书中的值仅供参考,实际需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流。 3.Diode forward voltage:体二极管正向电压 体二极管导通时的正向压...
图8.2 TypicalSource-to-Drain Diode Forward Voltage 一般来说,VSD典型值在0.7V～0.9V之间。大于100V的高压器件的VSD最大值为1.6V,小于100V的低压器件的VSD最大值为1V。 4. 正向导通时间ton: 基于漏极和源极外部电路寄生电感的正向导通时间ton,基本可以忽略不计。 5. 反向恢复时间trr,反向恢复充电电量Qrr,最...
Power MOS V ® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V ® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.•Faster ...
铁源电子 IRF7413PbF 高电压高功率 N-Channel 电源 MOSFET 数据手册说明书 HEXFET ® Power MOSFET SO-8
When choosing this parameterization, you must provide the data for the forward bias only. The block implements the diode using a smooth interpolation option. If the diode exceeds the provided tabulated data range, the block uses a linear extrapolation technique at the last voltage-current data poin...
Infineon DirectFET 双极性 MOSFET 数据手册说明书 DirectFET ®plus Power MOSFET Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Click on this section to link to the appropriate technical paper. Click on this section to link ...
7、ic Drain-to-Source On-Resistance 6.VFSD:Diode Forward Voltage MOSFET的直流参数及测试目的 NFME Confidential 11 MOSFET的直流参数及测试目的 1.测试项目(IGSS),测试线路如右: 测试方法:D,S 短接,GS端给电压,量测IGS IGSS:此为在闸极周围所介入的氧化膜的泄极 电,此值愈小愈好,当所加入的电压,超 ...
图8.2 TypicalSource-to-Drain Diode Forward Voltage 一般来说,VSD典型值在0.7V～0.9V之间。大于100V的高压器件的VSD最大值为1.6V,小于100V的低压器件的VSD最大值为1V。 4.正向导通时间ton: 基于漏极和源极外部电路寄生电感的正向导通时间ton,基本可以忽略不计。