MOSFET防反接电路通常由一个MOSFET开关和一个反向二极管组成。当电源正接时,MOSFET开关导通,电路正常工作;当电源反接时,反向二极管导通,将电源短路,从而保护电路免受损坏。 二、MOSFET防反接电路的工作原理 当电源正接时,MOSFET的栅极(G)接收到高电平信号,MOSFET导通,电流从电源正极经过MO...
(2) N-MOSFET防反接电路原理 图2 N-MOSFET防反接电路原理图 从图2可以看出,电源电流走向先经过负载然后从Q1 N-MOSFET的S极出N-MOSFET的D极,由于N-MOSFET的DS之间中存在寄生二极管,所以第一阶段负载两端的电压为: 第二阶段由于电源VCC还从R1、R2、Q1流过,由于R1和R2的存在会在Q1 N-MOSFET的GS之间建立压降...
MOSFET 防反接,好处就是压降小,小到可以忽略,由于MOS的导通电阻很小,有的是几个毫欧,这样通过电流为1A是,压降也才只有几个毫伏。 方法四: 极性反接保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS或者是NMOS场效应管。 NMOS管经过S管脚和D管脚串接与电源和负载之间,电阻R8为MOSFET提供电压偏置,运用...
电源防反接电路介绍 元件造成损坏,甚至引发火灾等安全事故。因此,设计一个有效的电源防反接电路对于确保电子设备的安全运行至关重要。 电源防反接电路的核心原理是利用半导体元件的特性,如二极管、MOSFET等,来实现对电流方向的控制。当电源正 2024-02-02 16:22:30 ...
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专利名称 一种MOSFET管防反接电路 申请号 2014204632203 申请日期 2014-08-18 公布/公告号 CN204156524U 公布/公告日期 2015-02-11 发明人 周厚明,程峰 专利申请人 武汉迈威光电技术有限公司 专利代理人 - 专利代理机构 - 专利类型 实用新型 主分类号 H02H11/00(2006.01)I 住所 湖北省武汉市东湖开发区光谷大道...
一种车载辅助电源反接保护电路 负极之间串接极性判别模块,极性判别模块根据检测到的电源极性控制电源开关的通断;本实用新型采用了MOSFET开关管进行防反的技术方案,可以有效降低损耗,以及小电池亏电情况下,由于无明显二极管压降的存在,仍能够提供给车载充电机或者车载DCDC较高的电压,具有... 刘钧,冯颖盈,徐金柱 被引量...
摘要 本实用新型公开了一种基于N‑MOSFET的直流输入防反接电路,包括在直流输入端口处正极母线上串联的一颗N沟道增强型场效应管N‑MOSFET,所述直流输入的电流方向由N‑MOSFET的源极指向漏极,所述N‑MOSFET的栅极连接有栅极驱动电源。所述N‑MOSFET的漏源耐压VDS高于直流输入最高电压设定的一定裕量。所述栅极...
由于MOS管越来越便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 NMOS管防止电源反接电路: 正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压,MOS管的DS就会导通,由于内阻很小,所以 ...