MOSFET 的 I / V 特性曲线 https://www.cnblogs.com/yeungchie/ MOSFET 线性区(三极管区,VDS≤VGS−VTHVDS≤VGS−VTH) ID=μnCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12V2DS]ID=μnCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12VDS2] μnCoxμnCox是一个常数,与工艺相关,单位A/V2A/V2 ...
产品名称:MOSFET,CMOS,IGBT半导体I-V,C-V特性曲线 产品型号: 更新时间:2024-08-19 产品简介: MOSFET,CMOS,IGBT半导体I-V,C-V特性曲线。半导体特性曲线图示仪,适用于MOSFET、CMOS,IGBT,三极管,二极管等材料、工艺和半导体器件电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 特性测试。
MOSFET,CMOS,IGBT半导体I-V,C-V特性曲线半导体特性曲线图示仪,适用于MOSFET、CMOS,IGBT,三极管,二极管等材料、工艺和半导体器件电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 特性测试。 专业仪器设备和测试方案供应商——上海坚融实业有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 坚友(上海)测量仪器有限公司JETYOO INSTRUMENTS,由前安捷伦Ag...
保持所有其他参数不变,对于L=L1和L=2L1,画出MOSFET的随变化的特性曲线。 答案 解:由式子= 知因为 ,所以,当长度增加一倍,所以的斜率将变为原来的。随变化的特性曲线如图所示。图有结果可以得到,若栅-源过驱动电压给定,L越大,电流源越理想,但器件的电路能力减小。因此,也许需要按比例增大W。相关推荐 1保持所...
MOSFET 的 I / V 特性曲线 https://www.cnblogs.com/yeungchie/MOSFET线性区(三极管区,VDS≤VGS−VTHVDS≤VGS−VTH)ID=μnCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12V2DS]ID=μnCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12VDS2]μnCoxμnCox 是一个常数,与工艺相关,单位 A/V2A/V2延伸...