1. MOSFET作为开关 下文以N沟道增强型MOSFET为例介绍MOS开关电路,开始介绍之前,我们先复习一下MOS开关电路的电路图以及NMOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线,详见图1和图2. (1)当 v_{I} = v_{GS} < V_{GS(…
◆ 晶体管 (Transistor):一种固体半导体器件(包括双极晶体管BJT和场效应晶体管MOSFET等),具有检波、整流、放大等功能。 ◆双极型晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor):电子和空 穴两种极性载流子均参与电流输运的晶体管。 ◆ 双极型晶体管是最重要的半导体器件之一,1947年由贝尔实验 室的一个研究小组发明,普遍认...
该特性VBE(sat)是与集电极-发射极饱和电压匹配的规格(表2)。 图8:基极-发射极饱和电压测量电路 图9:VBE(sat)– IC曲线(温度效应)(2SC5354) 表2:电气特性摘录(2SC5354) 以下文件还包含相关信息: 应用说明:MOSFET/双极晶体管 目录:双极晶体管 产品
如图2所示,hFE受到环境温度的影响。 图1:IC–VCE曲线(2SC2712) 图2:hFE–IC曲线(2SC2712) 相关信息 以下文档也包含相关信息: 应用说明:MOSFET/双极晶体管 目录:双极晶体管 e-Learning 分立半导体器件晶体管基础知识 返回SiC MOSFET/MOSFET/IGBT/双极晶体管相关FAQ...
BJT与MOSFET简介 BJT与MOSFET简介 2020/4/21 A 1 三极管简介 1结构与符号2工作原理3特性曲线4参数 2020/4/21 A 2 三极管模型图 2020/4/21 A 3 一、结构 两种类型:NPN和PNP 发射区 集电区 三极:e(Emitter)：发射极b(Base）：基极c(Collector)：集电极 发射结(Je)集电结(Jc)基区 三区:e,b,c特点:...
SPS5000软件提供内置的MOSFET、 BJT、二极管以及其他双端器件结构模型,并为每种类型的器件提供即用型测试项。测试人员可以根据测试需求,选择单一测试项进行手动器件验证,或选择多个测试项构建测试序列(适用于相同的测试接线),以快速执行器件的多参数分析。 SPS5000同时提供了出色的数据记录、曲线描绘以及导出分析等功能,是...
SPS5000软件提供内置的MOSFET、 BJT、二极管以及其他双端器件结构模型，并为每种类型的器件提供即用型测试项。测试人员可以根据测试需求，选择单一测试项进行手动器件验证，或选择多个测试项构建测试序列（适用于相同的测试接线），以快速执行器件的多参数分析。SPS5000同时提供了出色的数据记录、曲线描绘以及导出分析等功能...
学习了BJT在电路中具体的接法,其实非梯度参杂理想BJT中都是少子扩散电流,根据连续性方程,扩散电流密度大小仅与少子浓度梯度有关,也即与外加偏压有关,这就引出了BJT的本质:通过基区与其他两区的电势差产生浓度梯度,达到控制IC大小的作用(就是输出特性曲线饱和区和电流饱和区的变化),可以思考一下这与MOSFET的相同之...
由于有电位梯度使得沟道呈楔形, 当 vDS增大到(vDS=vGS-vT) 时, 沟道夹断, 但由于存在少子漂移可使 iD不为 0。 当 vDS继续增大, 电压主要分在夹断区, 故使 iD趋于饱和。 3 V-I 特性曲线 以 NPN 型硅 BJT 共射极为例, 如图 1 是它的输入特性曲线, 图 2 是它的输出特性曲线。
三极管输出特性曲线 根据材料以及用途不同,三极管器件的电压、电流 技术参数也不同,针对1A以下的三极管器件,推荐2台 S系列源表搭建测试方案,最大电压300V,最大电流 1A,最小电流100pA,可以满足小功率MOSFET测试的需求。 针对最大电流为1A~10A的MOSFET功率器件,推 荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案,其最大电压 ...