BJT的V-I特性曲线 由专用图示仪或实验来测量 BJT的V-I特性曲线 1.输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）iB=f(vBE)vCE=const(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB 减小，特性曲线右移...
1.输入特性曲线4.1.3BJT的V-I特性曲线饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.3V。此时,发射结正偏,集电结正偏C,E之间相当于闭合的开关iC=f(vCE) iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区:iC接近零的区域,相当iB=0曲线(其对应的iC 为穿透电流)的下方。此时,vBE小于死区电压。发...
;三极管的三种组态;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区:特征-IC明显受VCE控制 该区域内, IC和IB不服从β倍关系。 此时发射结正偏,集电结正偏。;共射极连接; 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。;N;1.电流放大系数; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ...
“AS-i总线技术及其应用”讲座 第2讲 AS-i总线工作原理 星级: 4页 第7讲-B样条曲线曲面 星级: 28 页 从I—V 特性曲线分析烧结工艺条件 星级: 5页 暂无目录 点击鼠标右键菜单,创建目录暂无笔记 选择文本,点击鼠标右键菜单,添加笔记暂无书签 在左侧文档中,点击鼠标右键,添加书签...
BJT的V-I 特性曲线 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE) vCE=const (2) 当1≥vCE≥0V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。 vCE = 0V vCE 1V (1) 当vCE=0V时...
资料仅供参考4.1 BJT4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.2 基本共射极放大电路4.6 组合放大电路*4.7 放大电路的频率响应*
关于BJT的特性曲线,下面说法中正确的是A.BJT的输入特性曲线描述基极电流i b 和发射结正偏电压v be 之间的关系B.测量每一条输出特性曲线时必须保持基极电流为常数
第7讲 BJT工作原理与V-I特性曲线 4.1BJT4.2基本共射极放大电路4.3放大电路的分析方法4.4放大电路静态工作点的稳定问题4.5共集电极放大电路和共基极放大电路4.6组合放大电路*4.7放大电路的频率响应* 4.1半导体三极管BJT 4.1.1BJT的结构简介4.1.2放大状态下BJT的工作原理4.1.3BJT的V－I特性曲线4.1....
基本共射极放大电路基本共射极放大电路4.6 组合放大电路组合放大电路*4.7 放大电路的频率响应放大电路的频率响应*4.1 半导体三极管半导体三极管BJT4.1.1 BJT的结构简介的结构简介4.1.2 放大状态下放大状态下BJT的工作原理的工作原理4.1.3 BJT的的VI特性曲线特性曲线4.1.4 BJT的主要参数的主要参数4.1.1 BJT的结构简介...