另外,对于MOSFET开关过程的研究中还需要重点解决米勒平台振荡的抑制问题。米勒平台振荡是指在MOSFET开关过程中,由于输入信号和内部电容的相互作用,造成的输出信号的振荡现象。这会导致功率损耗和设备的不稳定性。 抑制米勒平台振荡的方法有以下几种: 1.优化驱动电路:通过改变驱动电路的结构,可以减小输入和输出电容之间的耦...
压振荡，使一个MOSFET误开通，出现上下桥臂直通的[3],了MOSFET器件损坏的风&为，研究米勒平台处振荡产生的原因并采应的措施对米勒振荡抑制为重要&本文详细研究了MOSFET开关过程中，栅极电压、漏极电压、漏极电流的变化过程，分析了米勒平台产生振荡的原因，并提出了抑制米勒振荡的措施,对功率MOSFET的驱动开一定的，& ...
MOSFET 开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制 刘长柱, 王林军 【摘要】 设计功率 MOSFET 驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。 米勒电容作为 MOSFET 器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关 注。重点观察了 MOSFET 的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极 电流的变化过程,并分析了米勒电容...
米勒平台振荡是MOSFET开关过程中常见的问题之一、当MOSFET从导通到截止或从截止到导通时,电流流经MOSFET的感应电容会导致电压上升或下降过程出现不稳定的振荡。这种振荡可能会导致功率损失、电路噪声和电磁干扰等问题。因此,研究如何抑制米勒平台振荡是非常有必要的。 为了抑制米勒平台振荡,有几种方法可以采用。其中一种方法...
米勒电容米勒平台振荡设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响.米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注.重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压,漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容,寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响.分析了栅极电压...
内容提示: 电机易抄制应用 2019 , 46 ( 9 ) 研究与设计 I EMCAMOSFET 开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制刘长柱 , 王林军( 上海大学材料科学与工程学院 , 上海 200444 )摘要 : 设计功率 MOSFET 驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响 。 米勒电容作为 MOSFET 器件 的一项重要参数 , 在驱动电路的设计时...
MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说来: ①在MOS开关过程中,如果栅极电阻较小,发生了栅极电压震荡,多半是因为MOS源极寄生电感太大导致。根据U=L*di/dt,我们可以知道,栅极电阻小,开通速度快,即di/dt大,如果L(寄生电感)也大,在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象,...
本文详细研究了MOSFET开关过程中,栅极电压、漏极电压、漏极电流的变化过程,分析了米勒平台产生振荡的原因,并提出了抑制米勒振荡的措施,对功率MOSFET的驱动开发具有一定的指导意义。 1 MOSFET开通关断过程 为了了解MOSFET米勒平台[4]产生的原因,分析MOSFET的开通和关断过程。 图1所示为功率MOSFET的等效模型。 图1 MOSFET...