l参数讲解:这个参数标定mosfet能够承受的最大电压,主要限制因素在于MOS模型中寄生的反并联二极管,这个二极管承受超过一定电压会呈现齐纳二极管的特点,即电压保持在一个特定的水平,时间持续过久(超过雪崩能量)会雪崩击穿。 l限制因素:击穿电压主要承受结构为衬底和漂移区,主要影响因素有漂移区厚度、注入浓度等。 lPS:一般...
本文详细解释了功率器件规格说明书中每项参数的定义,并给出了与设计和工艺方面的关系。 随着近年来,MOSFET技术发展迅速,大家都朝着同样的目标奋进:最小的管芯面积,最强的雪崩能量EAS,最低的FOM性能等等。 这些性能相辅相成,又相生相克。所以如何去权衡它们之间的关系,如何针对不同的应用领域,去设计出有着不同特性...
MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V,未超过VDS(max)=40V。并且MOS工作的实际最大电流ID=5A,未超过ID(max)= 310A,脉冲时间1ms,看图会发现超过了1ms的SOA区,所以MOSFET会损坏。 需要注意的是MOSFET规格书给出的SOA曲线是环境温度25℃的曲线,如果你的产品环境温度更大,就需要进行降额处理,如何进行降额处理呢?前...
MOSFET规格书一般会给出下面这个曲线,也就是雪崩特性曲线, 从上面的曲线可以看出,MOSFET雪崩时的电流,雪崩持续时间,温度合围了一个区域,MOSFET的温度越高,合围的区域越小,对应MOSFET能耐受的单次脉冲雪崩能量也就越小,这也验证了我们上面说的拿极限EAS参数来评估MOSFET是否会损坏是不太准的,因为忽视了温度的影响。
这本书是由美国微电子工程师协会(SEMI)出版的,是MOSFET工艺领域的权威参考。该书详细介绍了从硅片加工到封装测试的整个流程,包括工艺设备、工艺流程、工艺控制和质量管理等方面的内容。 2. 《半导体器件物理与设计》 这本书由李英华教授编著,是国内首部系统介绍MOSFET器件物理和设计的专业教材。该书详细解析了MOSFET的...
工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书/datasheet,拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时,我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢? 本文的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点,有什么错误、不当的地方请大家指出,也希望大家分享一下自己的一些看法,大家...
MOSFET规格书参数详解 MOSFET规格书参数详解(参考AOD444) * 说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。 影响:超过的话会让MOSFET损坏。 说明:ID的漏电流。 测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源极两端给48V的电压。 影响:漏电流越大功耗越大。
Maxim 050-5507 MOSFET 产品说明书 Characteristic / Test Conditions Drain-Source Breakdown Voltage (V GS = 0V, I D = 250µA)On State Drain Current 2 (V DS > I D(on) x R DS(on) Max, V GS = 10V)Drain-Source On-State Resistance 2 (V GS = 10V, 0.5 I D[Co...
这个参数是有条件的,这个最小值600V是在Tj=25℃的值,也就是只有在Tj=25℃时,MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。 MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的,其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图,如下: (规格书来源:icspec官网) 要是电源用在寒冷的地方,环境温度低到-40℃甚至更低的话,MOSFET ...
Infineon DirectFET 双极性 MOSFET 数据手册说明书 DirectFET ®plus Power MOSFET Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Click on this section to link to the appropriate technical paper. Click on this section to link ...