l参数讲解:这个参数标定mosfet能够承受的最大电压,主要限制因素在于MOS模型中寄生的反并联二极管,这个二极管承受超过一定电压会呈现齐纳二极管的特点,即电压保持在一个特定的水平,时间持续过久(超过雪崩能量)会雪崩击穿。 l限制因素:击穿电压主要承受结构为衬底和漂移区,主要影响因素有漂移区厚度、注入浓度等。 lPS:一般厂家会
第二课:如何理解功率MOSFET规格书 封狼居胥 止鼾器-睡眠的定义者 来自专栏 · 开关电源 58 人赞同了该文章 目录 收起 一. 器件标称及应用说明 二. 器件特点及封装形式 三.热阻 1.结点到外壳的热阻 2.外壳到散热片的热阻RθCS: 3.结点到周围环境的热阻RθJA: 四.极限参数 1.最大直流漏源电流ID...
1.Diode continuous forward current:体二极管连续正向电流 这个参数表示体二极管在连续导通时能够承受的最大电流。这个值表示MOSFET在热平衡状态下能长期承受的电流,规格书中的这个参数是厂家在特定条件下测出来的电流值,所以仅供参考,实际我们需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流,在此不展开说明,后续单独...
MOSFET的体二极管参数说明 1.Diode continuous forward current:体二极管连续正向电流 这个参数表示体二极管在连续导通时能够承受的最大电流。这个值表示MOSFET在热平衡状态下能长期承受的电流,规格书中的这个参数是厂家在特定条件下测出来的电流值,所以仅供参考,实际我们需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流,...
价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能随着购买数量不同或所选...
MOSFET规格书参数详解(参考AOD444) * 说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。 影响:超过的话会让MOSFET损坏。 说明:ID的漏电流。 测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源极两端给48V的电压。 影响:漏电流越大功耗越大。 说明:栅极漏电流 测试条件:在Vgs=+-20V,在漏极和源...
打开MOSFET规格书,往下拉,你会发现MOSFET规格书里有一个曲线叫安全工作区曲线,很多人在进行MOSFET选型时,一般只关注前面的电气参数,往往会忽略后面的各种特性曲线,这样做就会忽略MOSFET选型的重要曲线。MOSFET的安全工作区英文叫Safe Operating Area,也就是SOA,是指MOSFET在特定条件下能够安全运行的电压、电流和时间范围。
MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V,未超过VDS(max)=40V。并且MOS工作的实际最大电流ID=5A,未超过ID(max)= 310A,脉冲时间1ms,看图会发现超过了1ms的SOA区,所以MOSFET会损坏。 需要注意的是MOSFET规格书给出的SOA曲线是环境温度25℃的曲线,如果你的产品环境温度更大,就需要进行降额处理,如何进行降额处理呢?前...
MOSFET的体二极管参数说明 1.Diode continuous forward current:体二极管连续正向电流 这个参数表示体二极管在连续导通时能够承受的最大电流。这个值表示MOSFET在热平衡状态下能长期承受的电流,规格书中的这个参数是厂家在特定条件下测出来的电流值,所以仅供参考,实际我们需要结合我们PCBA的散热设计来计算实际能流过的电流,...