本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です.構造は パワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流に よる発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています. ...
PGND:出力段グラウンド.このピンは,ロー・サイドNチャンネ ル FET を通じて SW に接続されています.ドライバへの給電 も行います. SGND:回路のグラウンド. Rev. 0 8 詳細:www.analog.com ブロック図 VCC PWM1 SD1 2.4V 18.8k 9.6k 1.2V – + – + PWMHI1 PWMLO1 RUN1 SGND 30k...