また、当社光MOS FETは、LEDの発光がなくなったとき、MOS FETのゲート電荷を高速で放電する当社独特の駆動制御回路を持ち、滑らかで高速なスイッチング動作を実現しています。 このような構造のため、入出力間は電気的に完全に絶縁され、いっぽう出力側接点は、順逆双方向に、直線性の良い導通特性...
RJE0609JPV シリコン P チャネル MOS FET シリーズ 電力スイッチング 暫定版 データシート R07DS1398JJ0200 Rev.2.00 2018.03.15 概要 本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です.構造は パワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵し...