在eMOS场效应管两端连接固定的VDS漏极-源极电压的情况下,可绘制漏极电流ID的值与VGS的变化值,以获得MOS场效应管正向直流特性的曲线图,这些特性给出了晶体管的跨导gm。 这种跨导使输出电流与表示晶体管增益的输入电压相关。 对于VDS的恒定值,跨导曲线在沿着它的任何点处的斜率被给出为: gm=ID/VGS。 假设MOS晶...
因此,界面态不仅影响平带电压,还改变理想C-V曲线的形状。 考虑上述影响因素的实际MOS的C-V特性: 平带电压可表示为:VFB=Vg′+Vg″其中,第一项代表为消除半导体和金属功函数差的影响,金属电极相对于半导体所需要施加的外加电压,第二项代表为把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需施加的外加电压。
产品特性 大功率 封装 TO251 包装方式 编带 可售卖地 全国 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 数量 2500 产品保证 原装 产地 中国 批号 22+ FET类型 增强型 安装方式 直插通孔 品牌 VBsemi/微碧半导体 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随...
电压范围: -40v 主频: CPU 功耗: 电子元器件 封装形式: 引脚 温度特性: 低温 数量: 8958 工作温度: 80c 最小工作温度: -40c 最大工作温度: 85c 安装风格: SMT 输出电压: 600 mV 输出电流: 20A 长度: 3.1 mm 高度: 1.3mm 宽度: 1.8mm ??: 99999 价格说明 价格:商品在平台...
V 热特性 包 SOT-89 I D (连续) 240mA I D (脉冲的) 600mA 功率耗散@大= 25℃ 1.6W 1 θ jc 摄氏度/ W 15 I DR 240mA I DRM 600mA 1安装在FR4板1"x1"x0.062" 2 PR www.clare.com R00A.5 条件 V GS = -5V ,我 D =100A I DS = 15V ,我 D =1mA V DS = 15V ,我 D =...
最大电源电压 7V 长度 9mm 宽度 2.4mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 MOS场效应管NCE6020I 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购...
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电压范围 -40v 主频 CPU 功耗 电子元器件 封装形式 引脚 温度特性 低温 数量 8958 工作温度 80c 最小工作温度 -40c 最大工作温度 85c 安装风格 SMT 输出电压 600 mV 输出电流 20A 长度 3.1 mm 高度 1.3mm 宽度 1.8mm ?? 99999 可售卖地 全国 型号 FSL29860B1 价格说明 价格:商...