当VDS继续增大,这夹断点向源端移动,最终形成由耗尽层构成的夹断区,MOS管进入饱和区工作。 此时沟道两端的电压保持VDS-Vth,而VDS的增加部分降落到夹断耗尽区内,ID几乎不变,达到最大。 (4)击穿区 NMOS 管的漏极—衬底PN结由于VD过高被击穿。 需要注意的是,对于PMOS器件来说,线性区和饱和区的漏极电流公式需要...
MOS管i-v特性-MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS 的特性,Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况( 低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs 小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于...
MOS晶体管I-V特性 本章定性和定量分析MOS的电流IDS与栅源电压VGS、漏源电压VDS间的IV特性关系。NMOS的剖面结构图以及其电路符合如下图所示,由栅极(G),漏极(D)、源极(S)和基板(B)构成。当GS极加入正电压,当VGS>VTH时,G极板通过栅氧电容会在D极和S极间形成带自由电子的导电沟道;当VDS>0时,导电沟道的自...
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