MIM和MOM电容二端都是金属,线性度较高,可用于OPA补偿电容等,MOS电容一般需要一端接地或电源,且线性度差,一般做大电容滤波使用。 关于MIM电容 MIM电容(Metal-Insulator-Metal):MIM电容相当于一个平行板电容,最顶层二层金属间距较大,形成的电容容值很小,MIM电容一般由最顶层二层金属和中间特殊的金属层构成,MIM电容...
mom电容:MOM电容指的是:如图1所示,finger 插指电容,即利用同层 metal边沿之间的C。为了省面积,可以多层metal叠加,PDK 中 metal 层数可以选择。一般只在多层金属的先进制程上使用,因为是通过多层布线的版图来实现的,但得到的电容值确定性和稳定性不如 MIM,一般可能会用在那种对电容值要求不高,只是用到相对比值之类...
这种是带ISO的5Vmos管,ISO等级选取60V,这种nmos管的等效电容应该也是=3fF/um²。所以可用W*L*3fF/um²求出其等效电容。同① 其管子耐压和参数设置如下两图: ③ cap_sdnwnp1_iso_nbl_5p0v ④ cap_mim_m2m3 这种电容的单位面积电容较大,但是耐压只有5.5V ⑤ cap_mom_hv 耐压较大,66V ⑤ cap_mom_...
这个电容是由metal1和metal2两层金属构成的,类似一个三明治结构,版图如下图: 以cap_m2m3为例,如下: mom电容: 下图是mom电容,型号是cap_mom_hv,mom电容是被做成“插指”结构了。一端为正,另一端为负。而且,在东部工艺库中cap_mom_hv电容,不仅在metal1层有电容,metal2也有电容,metal1的正极和metal2的正极...
先进工艺下MIM电容和MOM电容的比较分析-KIA MOS管 1、单位面积容值 相同的单位面积容值,电容值 MIM < MOM,MIM 约是1/3 MOS电容值。 2、工艺实现和电压系数 MOM电容优势在于不需要额外 mask,MIM需要额外 mask 和工艺才能实现。 由于MOM电容的介质层一般采用二氧化硅,在 MOM 上施加不同的电压时,对介质层的耗尽...
MIM,MOM和MOS电容的区别 ic layout这三种电容经常遇到: MOS, MOM , MIM MOS 电容:两端结构mos随着控制电压的变化,管道和电容值不准确 化的容值,上下极板接法不可互换。 MOM 电容:finger 插指电容,即使用同层metal边沿之间的C。为了节省面积,可以多层次metal叠加,PDK中metal可选择层数。一般只用于多层金属的先进...
2、Q值不同：MOM 电容比MIM电容的Q值大。3、形成不同：（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。4、cap不同：（1）、MOM是fringe cap为主。（2）、MIM是平板cap为主。
MIM电容精度高，可以得到一个确定的电容值，但面积大；MOM电容匹配度高
mim电容和mom电..MIM电容和MOM电容在结构、形成方式、Q值、应用领域以及绝缘层材料方面存在差异。1. 结构不同:尽管两者都是由两个金属电极之间夹着一层绝缘层组成,但MOM电容是利用同层金属边沿之间的C,可以多层金属
对于CMOS工艺,集成电容一般有MIM, MOM和MOS电容三类。MIM和MOM电容二端都是金属,线性度较高,可用于OPA补偿电容等,MOS电容一般需要一端接地或电源,且线性度差,一般做大电容滤波使用。 关于MIM电容 MIM电容(Metal-Insulator-Metal):MIM电容相当于一个平行板电容,最顶层二层金属间距较大,形成的电容容值很小,MIM电容...