1 目的 本测试方法目的是在规定电压、电流和脉冲持续时间的条件下进行MOSFET器件热阻测试。使用源漏间二极管正向压降的温度敏感性作为结温指征。本方法更适用于具有相对较长的热响应时间的增强型功率场效应器件。…
方法4023.2 示踪设备图像*11 目的本测试方法的目的是定义在曲线示踪设备 *2上观察整流、开关和齐纳二极管的动态反向特性的检验判据。本判据不适用于特定的整流设计(例如半导体器件不进入雪崩击穿状态)或产品详细…
MIL-STD-750F_1 1000-1999 2012 热度: MIL-STD-750F_3 3000-3999 2012 热度: INCH–POUND MIL–STD–750F 3January2012 SUPERSEDING MIL–STD–750E 20November2006 DEPARTMENTOFDEFENSE TESTMETHODSTANDARD TESTMETHODSFORSEMICONDUCTORDEVICES AMSCN/A ...
内容提示: INCH–POUND AMSC N/A FSC 5961 MIL−STD−750F w/CHANGE 3 1 April 2021 SUPERSEDING MIL−STD−750F w/CHANGE 2 30 November 2016 DEPARTMENT OF DEFENSE TEST METHOD STANDARD TEST METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES The documentation and process conversion measures necessary to comply ...
MIL–STD–750–1 ii FOREWORD 1.ThisstandardisapprovedforusebyallDepartmentsandAgenciesoftheDepartmentofDefense. 2.Thisentirestandardhasbeenrevised.Thisrevisionhasresultedinmanychangestotheformat,butthemost significantoneisthesplittingthedocumentintoparts.SeeMIL–STD–750forthechangesummary. ...
本公司生产销售高温老炼系统 老炼系统,提供高温老炼系统专业参数,高温老炼系统价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.高温老炼系统 高温老炼系统 品牌泰络TELO|产地广东|价格9999.00元|型号TL-HW02|电压检测范围0-1500V|试验电源1-1500V 四组|操作系统WIN10/11|测试系
检测标准 MIL-STD-750 检测费用 根据产品资料评估 检测资质 CNAS 服务项目 二次筛选、可靠性验证、失效分析 检测报告 CNAS检测报告 实验室地点 东莞、苏州 联系人 冯工 可售卖地 全国 类型 电子元器件 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...
检测标准: MIL-STD-750 检测费用: 根据产品资料评估 检测资质: CNAS 服务项目: 二次筛选、可靠性验证、失效分析 检测报告: CNAS检测报告 实验室地点: 东莞、苏州 联系人: 冯工 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不...
MIL-STD-750F 制定了统一的方法和程序,用于测试适用于军事和航空航天电子系统的半导体器件。本标准各部分中的方法和程序涵盖基本的环境、物理和电气测试,以确定对军事和太空行动周围自然因素和条件的有害影响的抵抗力。就本标准而言,术语“设备”包括晶体管、二极管、稳压器、整流器、隧道二极管和其他相关部件等。本标...
1 目的 本测试方法目的是确定场效应晶体管或 IGBT 在规定条件下的击穿电压是否大于规定的最低限值。对于IGBT,需将MOSFET的漏极和源极替换成集电极和发射极,即D=C,S=E。 2 测试电路 见图3401-1。 注:电流表应在…