金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“Micro-LED外延结构及器件”的专利，授权公告号CN 222051800 U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种Micro‑LED外延结构及器件。外延结构包括第一氮化物层、氮化物有源层和第二氮化物层；第一氮...
1.一种Micro-LED器件结构,其特征在于,包括:多个Micro-LED芯片构成的显示阵列;所述Micro-LED芯片上设置有多个刻蚀面,所述刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配,所述刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配;所述刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部;所述每个凹部中填充或不填充量子点,构成...
金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，河南中光学集团有限公司申请一项名为“一种基于光子晶体结构的垂直堆叠型全彩Micro‑LED显示器件”的专利，公开号CN 119317282 A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于光子晶体结构的垂直堆叠型全彩Micro‑LED显示器件，其从下至上依次为衬底...
器件100演示了Micro-LED像素结构,其包括位于第一接触侧的顶部反射面或反射镜16上的分布式布拉格反射器DBR,以及位于底部接触侧的光学反射材料或反射镜17。两个反射器16和17一起提供用于Micro LED像素的光学谐振微腔20。 诸如LED驱动电路40的驱动电子器件可以耦合到形成于第一触点10和第二触点15的第一和第二电极。LED...
显示器件以及电子设备,MicroLED封装结构,其特征在于,包括内部具有容纳腔的封装体和密封所述容纳腔的盖板,所述容纳腔用于容纳MicroLED结构,所述封装体的顶部设有UV胶层,所述盖板覆盖于所述封装体的顶部,且所述盖板通过所述UV胶层与所述封装体固定连接.本实用新型能够避免MicroLED结构底部焊点松脱或者虚焊,提高器件可靠性...
3月22日消息,韩国科学技术院(KAIST)电气电子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究团队,重新研究了Micro LED(μLED)的效率下降现象,并发现可通过外延结构工程从根本上解决问题。 据悉,Micro LED的制造需通过刻蚀工艺,将晶圆上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状而形成,刻蚀工艺同时伴随着基于等离子体的制造工艺。然而...
视频WBSC 20212025-01-10 11:58 189播放 ·0评论未经作者授权,禁止转载 46501515315 微博QQQQ空间 微信扫一扫分享 稿件投诉 《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者:刘斌,许非凡,余俊驰,陶涛,陆海,陈敦军,张荣单位:南京大 展开更多
基光电器件领域,具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件,包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源;所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上;所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内;所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列...
近日,兆驰半导体、长春希达、罗化芯、海目星等公布Micro LED专利,涉及外延结构及其制备方法、发光芯片测试方法、器件及其制备方法、修复方法与修复设备等技术环节。 兆驰半导体:一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法 江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法”的发...
本发明涉及光电显示领域,特别是涉及一种共用数据引线的彩色micro-led器件结构及其驱动方法。 背景技术: 1、micro-led是指将传统led微缩化后形成微米级尺寸(一般指50μm以下)的led,其可实现具有超高密度像素分辨率的显示阵列。micro-led具备自发光的特性,相比oled,micro-led色彩更容易准确的调试,有更长的发光寿命和更...